[发明专利]有机发光二极管有效
申请号: | 201380026815.0 | 申请日: | 2013-05-31 |
公开(公告)号: | CN104335379A | 公开(公告)日: | 2015-02-04 |
发明(设计)人: | 朱文奎;姜旼秀;文济民;咸允慧;张星守;刘珍雅;李在仁 | 申请(专利权)人: | 株式会社LG化学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;C09K11/06 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 王媛;钟守期 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 | ||
技术领域
本说明书涉及一种有机电致发光器件。
本申请要求于2012年5月31日向韩国专利局提交的韩国专利申请第10-2012-0058946号的优先权,其全部公开内容在此通过引证的方式纳入本说明书。
背景技术
一种有机电致发光器件,通过将两电极中的电子和空穴注入有机材料层中而将电流转换成可见光。所述有机电致发光器件可具有包含两层或多层有机材料层的多层结构。如果有必要的话,除发光层之外,有机电致发光器件可还包含电子或空穴注入层,电子或空穴阻挡层或电子或空穴传输层。
近年来,随着有机电致发光器件的用途多样化,已积极进行关于可以改进有机电致发光器件性能的材料的研究。
发明内容
技术问题
本说明书描述了一种具有新型结构的有机电致发光器件。
技术方案
根据本说明书的一个示例性实施方案,有机电致发光器件包括:阳极;阴极;在阳极和阴极之间提供的发光层;与阳极连接且掺杂p-型掺杂剂的第一有机材料层;以及与阴极连接且掺杂p-型掺杂剂的第二有机材料层,其中,第一有机材料层中的p-型掺杂剂的含量占第一有机材料层的50重量%或以上且小于100重量%。
根据本说明书的另一个示例性实施方案,当第一有机材料层中的p-型掺杂剂的浓度为A重量%且第二有机材料层中的p-型掺杂剂的浓度为B重量%时,可满足A-B≥B。
根据本说明书的又一个示例性实施方案,当第一有机材料层中的p-型掺杂剂的浓度为A重量%且第二有机材料层中的p-型掺杂剂的浓度为B重量%时,可满足A-B≥1.5B。
根据本说明书的又一个示例性实施方案,当第一有机材料层中的p-型掺杂剂的浓度为A重量%且第二有机材料层中的p-型掺杂剂的浓度为B重量%时,可满足A-B≥2B。
有益效果
根据本说明书的示例性实施方案可提供一种有机电致发光器件,通过使与阳极连接的有机材料层及与阴极连接的有机材料层包含p-型掺杂剂,并设定与阳极连接的有机材料层中的p-型掺杂剂的浓度为50重量%或以上,使该器件具有低驱动电压、高亮度及优异的发光效率。具体而言,当与阳极连接的有机材料层中的p-型掺杂剂的浓度及与阴极连接的有机材料层中的p-型掺杂剂的浓度控制在特定的范围内时,可进一步改进所述器件的上述性能。
附图说明
图1说明了本说明书一个示例性实施方案的有机电致发光器件的有机材料层的堆叠结构。
图2说明了本说明书另一个示例性实施方案的有机电致发光器件的有机材料层的堆叠结构。
图3说明了在图1中所阐述的有机电致发光器件中的第二有机材料层和阴极之间的电荷移动。
图4说明了在图2中所阐述的有机电致发光器件中的电子注入层或电子传输层、第二有机材料层以及阴极之间的电荷移动。
图5是表明根据p-型掺杂剂浓度的有机薄膜粗糙度的图表。
具体实施方式
在下文中将详细描述本说明书中所示范的示例性实施方案。
在本说明书中,n-型意味着n-型半导体特性。换言之,n-型有机材料层为具有在LUMO能级注入或传输电子的特性的有机材料层,及具有电子迁移率大于空穴迁移率的材料的特性的有机材料层。相反,p-型意味着p-型半导体特性。换言之,p-型有机材料层为具有在最高占据分子轨道(the highest occupied molecular orbital,HOMO)能级注入或传输空穴的特性的有机材料层,及具有空穴迁移率大于电子迁移率的材料的特性的有机材料层。“在HOMO能级传输电荷的有机材料层”和p-型有机材料层可具有相同含义。此外,“在LUMO能级传输电荷的有机材料层”和n-型有机材料层可具有相同含义。
在本说明书中,p-型掺杂剂意指电子受体材料。
在本说明书中,能级意指能量大小。因此,即使当能级表示为真空能级的负(-)方向时,该能级理解为意指相应能量值的绝对值。例如,所述HOMO能级意指真空能级到最高占据分子轨道之间的距离。此外,所述LUMO能级意指真空能级到最低未占分子轨道(the lowest unoccupied molecular orbital)之间的距离。
在本说明书中,电荷意指电子或空穴。
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