[发明专利]用于生产用于超导层的基板的方法

权利要求书

1.一种用于生产适合于支撑细长超导元件的基板的方法，所述方法包括：

-提供分层固体元件，所述分层固体元件包括：

○下层(303)，以及

○上层(316)，

其中，所述上层与所述下层相邻放置并且至少部分覆盖所述下层，

-在所述上层(316)中形成多个分裂条带，由此形成所述下层(303)的多个暴露区域(323)，其中每个暴露区域沿着分裂条带形成，

其中，所述在所述上层(316)中形成多个分裂条带，由此形成所述下层(303)的多个暴露区域(323)，其中每个暴露区域沿着分裂条带形成的步骤包括变形处理，

其中，所述在变形处理中在所述上层(316)中形成多个分裂条带的步骤包括：将上层的一部分按压到下层(303)中，

其特征在于，所述方法还包括：

-蚀刻所述暴露区域(323)，以在所述上层(316)和所述下层(303)之间形成底切容积(330,332)，其中，每个底切容积沿着分裂条带形成，其中，蚀刻剂被使用以为了下层(303)的蚀刻速率高于上层(316)的蚀刻速率，

-其中，所述细长超导元件的长度为1m–30km。

2.根据权利要求1所述的用于生产适合于支撑细长超导元件的基板的方法，其中，所述底切容积位于所述下层的剩余部分之下。

3.根据权利要求1或2所述的用于生产适合于支撑细长超导元件的基板(600)的方法，其中，所述提供分层固体元件的步骤包括：

a.提供初级固体元件(202)，初级固体元件具有均匀的初级上层(314)，

b.通过下面中的任一个来形成分层固体元件的上层(316)：

i.硬化初级上层(314)的上部，

ii.掺杂初级上层(314)的上部，

iii.在初级上层的上部之内制备氧化物层或者氮化物层。

4.根据权利要求1或2所述的用于生产适合于支撑细长超导元件的基板(600)的方法，其中，所述分层固体元件的上层(316)的厚度(362)处于1nm至100微米内。

5.根据权利要求1或2所述的用于生产适合于支撑细长超导元件的基板(600)的方法，其中，位于多个分裂条带之内的相邻分裂条带之间的距离(752)处于1微米至1毫米内。

6.根据权利要求1或2所述的用于生产适合于支撑细长超导元件的基板(600)的方法，其中，在与所述下层(303)的上表面或者所述上层(326)的上表面平行的平面和与多个分裂条带的底部相切的平面之间的距离(748)足够大，以使得在基板上放置的超导材料具有所述分裂条带中的部分以及物理分开的所述分裂条带之间的部分。

7.一种用于生产细长超导元件的方法，其中，所述方法包括根据权利要求1至6中任一项的用于生产适合于支撑细长超导元件的基板的步骤，并且其中，所述方法还包括：将超导材料层(642,644,646)放置在所述分层固体元件的上层(316)和/或下层(303)上使得所述底切容积(330,332)用于物理分离超导材料的单独的线。

8.根据权利要求7的用于生产细长超导元件的方法，其中，所述方法还包括：

a.将缓冲材料层(640)放置在根据权利要求1至4中任一项的分层固体元件的上层(316)和/或下层(303)上，并且

b.将超导材料层(642,644,646)放置在缓冲材料上，

使得所述底切容积(330,332)用于物理分离超导材料和/或缓冲材料的单独的线。

9.根据权利要求7或8的用于生产细长超导元件的方法，其中，所述放置超导材料层(642,644,646)和/或缓冲材料层(640)的步骤为瞄准线处理。

10.根据权利要求7或8的用于生产细长超导元件的方法，所述方法还包括：将分流层放置在超导材料层(642,644,646)上。