[发明专利]用于快速热处理的设备及方法有效
申请号: | 201380027214.1 | 申请日: | 2013-05-29 |
公开(公告)号: | CN104428879B | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 约瑟夫·M·拉内什;阿伦·缪尔·亨特;托马斯·F·索莱斯;亚历山大·M·鲁边奇克 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司;劳伦斯-利弗莫尔国家安全有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 快速 热处理 设备 方法 | ||
1.一种用于处理基板的设备,所述设备包含:
腔室主体,所述腔室主体界定处理容积;
基板支撑件,所述基板支撑件设置于所述处理容积内,其中所述基板支撑件界定基板支撑平面,且所述基板支撑件被配置以在所述基板支撑平面内支撑所述基板;以及
加热源,所述加热源设置于所述腔室主体外且被配置以向所述处理容积提供热能,其中所述加热源包含:
框架构件,所述框架构件具有内壁,所述内壁围绕足够大的区域以包围所述基板的表面区域,其中所述内壁实质上垂直于所述基板支撑平面;以及
多个激光二极管块,所述多个激光二极管块安装于所述框架构件的所述内壁上,其中所述多个激光二极管块中的每个激光二极管块被导向所述处理容积中的对应区域。
2.如权利要求1所述的设备,其中所述内壁实质上为圆柱形,且所述多个激光二极管块沿所述内壁的圆周分布,且所述多个激光二极管块被布置在多个水平面内。
3.如权利要求2所述的设备,其中所述多个激光二极管块向所述处理容积中的所述对应区域倾斜。
4.如权利要求1所述的设备,其中所述腔室主体包含由实质上对一光谱的辐射能透明的材料制成的窗,所述光谱包括多个激光二极管条的发射辐射的波长,且所述加热源设置于所述窗外以使得来自所述多个激光二极管块的辐射能到达设置于所述基板支撑件上的所述基板。
5.如权利要求4所述的设备,其中所述窗包含宽带反射涂层,所述宽带反射涂层具有整合的抗反射涂层,所述抗反射涂层针对从所述多个激光二极管块至所述基板表面的入射角范围及所述多个激光二极管块的波长范围而被定制。
6.如权利要求4所述的设备,所述设备进一步包含设置于所述窗之上的辐射均匀化元件,其中所述辐射均匀化元件包括点刻件、凹件、混合器、多个小透镜、全息漫射器或常规漫射器之一。
7.如权利要求1所述的设备,其中所述框架构件为多面中空棱镜,且所述多个激光二极管块被安装于所述多面中空棱镜的内壁上。
8.如权利要求7所述的设备,其中所述多面中空棱镜的所述内壁是锥形或阶梯状以支撑所述多个激光二极管块。
9.如权利要求1所述的设备,其中所述多个激光二极管块被定向以实现通过设置于所述设备内的所述基板的最大吸收。
10.如权利要求4所述的设备,所述设备进一步包含反射体,其中所述反射体与所述窗设置于所述基板支撑平面的相对侧上。
11.如权利要求3所述的设备,其中在多个水平面内的所述激光二极管块形成多个同心加热区。
12.如权利要求11所述的设备,其中在多个同心加热区内的激光二极管块的数目从内区至外区增加。
13.一种用于处理基板的方法,所述方法包含以下步骤:
将基板放置在设置于处理腔室内的基板支撑件上;以及
朝向基板引导来自加热源的辐射能穿过所述处理腔室内的窗,其中所述加热源设置于所述处理腔室主体外,且所述加热源包含:
框架构件,所述框架构件具有内壁,所述内壁围绕足够大的区域以包围所述基板的表面区域,其中所述内壁实质上垂直于所述基板支撑平面;以及
多个激光二极管块,所述多个激光二极管块安装于所述框架构件的所述内壁上,其中所述多个激光二极管块中的每个激光二极管块被导向所述基板的所述表面区域中的对应区域。
14.如权利要求13所述的方法,所述方法进一步包含以下步骤:
均匀化来自所述多个激光二极管块的辐射能。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造