[发明专利]用于MOFET的掩膜层级减少

权利要求书

1.一种用减少的掩膜操作制造薄膜晶体管和平面转换LCD电极的方法，所述方法包括以下步骤：

提供具有表面的衬底；

在所述衬底的所述表面上图案化栅极金属以限定薄膜晶体管栅极；

在所述栅极上方并包围衬底表面形成栅极介电层；

在所述栅极介电层上沉积半导体金属氧化物层；

在覆盖所述栅极的半导体金属氧化物上图案化沟道保护层，所述沟道保护层被图案化成在所述栅极上方的半导体金属氧化物中限定沟道区域并暴露出保留的半导体金属氧化物；

在所述沟道保护层和暴露的半导体金属氧化物的用于限定平面转换区域的部分上沉积至少源极/漏极金属层；

蚀刻穿过所述源极/漏极金属层到达所述栅极上方的所述沟道保护层以将所述源极/漏极金属层分隔成薄膜晶体管源极和漏极端子，并蚀刻穿过未被所述源极/漏极金属层覆盖的区域中的所述半导体金属氧化物层；

在所述薄膜晶体管源极和漏极端子上和在用于所述平面转换的第一电极的围绕区域处图案化有机介电材料；

使用图案化的有机介电材料，蚀刻穿过所述平面转换区域中的所述源极/漏极金属层以暴露出半导体金属氧化物并限定用于所述平面转换的所述第一电极；

在图案化的有机介电材料和用于所述平面转换的所述第一电极上沉积钝化层；以及

在所述钝化层上图案化透明导电材料层，用于限定覆盖所述第一电极的用于所述平面转换的第二电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中用于所述平面转换的所述第二电极包括多个互连的、间隔开的指。

3.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述半导体金属氧化物层的步骤包括沉积无定形金属氧化物。

4.根据权利要求1所述的方法，其中图案化所述透明导电材料层的步骤包括图案化ITO、IZO、AZO、In₂O₃及其组合中的一种的层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中沉积至少所述源极/漏极金属层的步骤包括在所述有机介电材料上沉积透明金属氧化物导体层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中沉积所述透明金属氧化物导体层的步骤包括沉积ITO、IZO、AZO、In₂O₃及其组合中的一种。

7.根据权利要求5所述的方法，其中沉积至少所述源极/漏极金属层的步骤包括在透明金属氧化物导体上沉积阻挡金属层和在所述阻挡金属层上沉积所述源极/漏极金属层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中蚀刻穿过所述平面转换区域中的源极/漏极金属层的步骤包括蚀刻穿过所述阻挡层而不蚀刻穿过所述透明金属氧化物导体层。

9.根据权利要求7所述的方法，其中沉积所述阻挡金属层的步骤包括沉积Mo、W、Cr和Ni中的一种。