[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示装置和电子设备

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其包括：

基板；

在所述基板上的栅极；

对向所述栅极的半导体膜；

在所述半导体膜中的通道形成区域；

在所述基板上的一对源极区域和漏极区域；以及

在所述半导体膜的侧面的至少一部分上的绝缘膜。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述绝缘膜位于所述半导体膜的整个侧面上。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述绝缘膜与所述半导体膜的侧面平行。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括位于所述半导体膜与所述栅极之间的栅极绝缘膜。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中，所述绝缘膜位于所述半导体膜与所述栅极绝缘膜之间的界面处。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述栅极的长度x大于所述半导体膜的长度y。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述栅极的长度x小于所述半导体膜的长度y。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述半导体膜具有2nm～300nm的厚度。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述绝缘膜包含SiO₂、SiN或SiON中的至少一种。

10.一种显示装置，其包括：

像素驱动电路层；

发光元件层基板；以及

在所述像素驱动电路层中的薄膜晶体管，

其中，所述薄膜晶体管包括(i)基板，(ii)对向所述基板的栅极，(iii)在所述栅极上的半导体膜，(iv)在所述半导体膜中的通道形成区域，(v)在所述基板上的一对源极区域和漏极区域，以及(vi)在所述半导体膜的侧面的至少一部分上的绝缘膜。

11.一种薄膜晶体管的制造方法，所述方法包括如下步骤：

准备基板；

在所述基板上形成栅极；

形成对向所述栅极的半导体膜；

在所述半导体膜的侧面的至少一部分上形成绝缘膜；

形成源极区域；以及

形成漏极区域。

12.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述半导体膜包含多晶硅、非晶硅或者含有In、Ga、Zn、Sn、Al和Ti中的至少一种作为主要成分的氧化物。

13.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括在所述半导体膜上的通道保护膜。

14.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括在所述源极与所述漏极之间的通道保护膜，其中所述源极和所述漏极都与所述保护膜部分地重叠。