[发明专利]用于DRAM中的功率降低的配置有效

专利信息
申请号: 201380027975.7 申请日: 2013-06-13
公开(公告)号: CN104321821B 公开(公告)日: 2017-03-15
发明(设计)人: A.谢菲尔;J.B.哈尔伯特 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G11C11/4074 分类号: G11C11/4074
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 马红梅,姜甜
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 dram 中的 功率 降低 配置
【权利要求书】:

1.一种用于降低存储器中的功率的设备,包括:

多个分段字线驱动器,被配置为驱动多个分段字线,其中所述多个分段字线中的每一个耦合到存储器单元的子阵列;

主字线,耦合到多个分段字线驱动器,其中所述主字线响应于由所述设备接收的行地址选通(RAS)信号;

分段字线启用,耦合到下述逻辑,该逻辑用于选择性地禁用所述多个分段字线驱动器中的若干分段字线驱动器,从而分割所述设备的页以降低由所述多个分段字线中的被禁用的分段字线的激活消耗的功率。

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述设备包括存储器单元的动态随机存取存储器(DRAM)阵列,动态随机存取存储器(DRAM)阵列包括存储器单元的子阵列。

3.根据权利要求1所述的设备,其中所述分段字线启用被配置为把所述页分割为下子字线和上子字线,其中下子字线和上子字线中的每一个包括所述页的不同的物理分半。

4.根据权利要求1所述的设备,其中所述分段字线启用被配置为把所述页分割为多个等大小分区,其中一次启用一个等大小分区,同时禁用等大小分区中的其他若干等大小分区。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的设备,其中所述分段字线启用是第一分段字线启用,其中所述设备还包括:

第二分段字线启用,被配置为选择性地禁用所述多个分段字线驱动器中的未基于第一分段字线启用而禁用的若干分段字线驱动器。

6.根据权利要求5所述的设备,其中第二分段字线启用被配置为选择性地禁用所述多个分段字线驱动器中的未基于第一分段字线启用而禁用的若干分段字线驱动器中的至少一半。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的设备,其中所述分段字线启用响应于从存储器控制器接收到信号而选择性地禁用所述多个分段字线驱动器中的若干分段字线驱动器。

8.一种降低功率的动态随机存取存储器(DRAM)堆叠,包括:

第一DRAM管芯,包括:

 第一多个分段字线驱动器,均耦合到存储器单元的子阵列的第一集合,且均被配置为响应于第一主字线信号;以及

 第一分段字线启用,被配置为在操作期间选择性地禁用第一多个分段字线驱动器中的至少一半,以降低第一DRAM管芯的总字线功率消耗;以及

第二DRAM管芯,在堆叠配置中耦合至第一DRAM管芯,且被配置为响应于从存储器控制器接收的控制信号而把数据传送到存储器控制器和从存储器控制器传送数据。

9.根据权利要求8所述的DRAM堆叠,其中所述多个分段字线驱动器是第一多个分段字线驱动器,其中子阵列的集合是子阵列的第一集合,所述分段字线启用是第一分段字线启用,其中第二DRAM管芯包括:

第二多个分段字线驱动器,均耦合到存储器单元的第二子阵列,且均被配置为响应于第二主字线信号;以及

分段字线启用,被配置为在操作期间选择性地禁用所述多个分段字线驱动器中的至少一半,以降低第一DRAM管芯的总字线功率消耗。

10.根据权利要求9所述的DRAM堆叠,其中第二主字线信号与第一主字线信号相同。

11.根据权利要求8-10中任一项所述的DRAM堆叠,其中第一DRAM管芯包括硅通孔(TVS),硅通孔(TVS)被配置为把第二DRAM管芯的每个端子耦合到印刷电路板。

12.一种用于降低存储器中的功率的方法,包括:

利用动态随机存取存储器(DRAM)接收主字线信号以驱动多个分段字线驱动器;

利用DRAM接收分段字线启用信号以选择性地禁用所述分段字线驱动器中的至少一半响应于主字线信号,从而分割DRAM的页以降低耦合到分段字线驱动器中的被禁用的分段字线驱动器的分段字线的功率消耗;以及

响应于分段字线启用信号的改变,选择性地启用先前选择性地禁用的分段字线驱动器中的至少一半中的一些。

13.根据权利要求12所述的方法,其中所述分段字线启用信号是第一分段字线启用信号,所述方法还包括:

接收第二分段字线启用信号;以及

基于第一分段字线启用信号和第二字线启用信号的逻辑组合来禁用所述多个分段字线驱动器。

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