[发明专利]包括磁致伸缩材料的光学元件

权利要求书

1.光学元件(21)，包括：

基板(30)；

反射涂层(31)；以及

包含磁致伸缩材料的至少一个活性层(34,34a,34b)，其中，尤其对于EUV辐射的反射，所述反射涂层(31)包括多个层对(32)，所述多个层对具有由高折射率层材料和低折射率层材料构成的交替层(33a,33b)，其中，所述至少一个活性层(34)形成在所述反射涂层(31)内。

2.如权利要求1所述的光学元件，其中，所述反射涂层(31)具有数量N个交替层(33a,33b)，所述交替层的第一个布置成邻近所述基板(30)，所述交替层的第N个布置成邻近面向环境的表面(38)，其中，所述活性层(34)布置在第一和第N-5层(33a,33b)之间。

3.如权利要求1或2所述的光学元件，其中，所述反射涂层(31)具有数量N个交替层(33a,33b)，所述交替层的第一个布置成邻近所述基板(30)，所述交替层的第N个布置成邻近面向所述环境的表面(38)，其中，所述活性层(34)布置在第N-5层和第N层之间。

4.如权利要求1至3任一项所述的光学元件，其中，所述活性层(34)的厚度(d)在0.5nm和7nm之间，优选地在2nm和4nm之间。

5.如上述权利要求任一项所述的光学元件，其中，至少一个活性层(34)设置在所有层对(32)中。

6.如权利要求5所述的光学元件，其中，相应层对(32)的所述至少一个活性层(34)的厚度(d)最大为2.5nm，优选最大为1.0nm。

7.光学元件(21)，包括：

基板(30)；

反射涂层(31)；以及

包括磁致伸缩材料的至少一个活性层(34,34a,34b)，其中，

所述光学元件(21)包括至少一个第一活性层(34a)和至少一个第二活性层(34b)，所述至少一个第一活性层包括具有正磁致伸缩的材料，所述至少一个第二活性层包括具有负磁致伸缩的材料，其中，所述活性层(34a,34b)的层厚度(d1,d2)和层材料选择成使得通过磁场(36,36b)产生的机械应力变化或活性层(34a,34b)长度变化彼此相互补偿。、

8.如上述权利要求任一项所述的光学元件，包括至少一个可磁化层(35)，所述至少一个可磁化层包括永磁材料，以在所述至少一个活性层(34,34a,34b)中产生磁场(36,36b)。

9.如权利要求8所述的光学元件，其中，所述可磁化层(35)的永磁材料从包括铁氧体、钐-钴(Sm-Co)、铋化锰、钕铁硼(NdFeB)和钢的组中选择。

10.如权利要求8或9所述的光学元件，其中，所述永磁材料是磁致伸缩的。

11.如上述权利要求任一项所述的光学元件，其中，所述活性层(34,34a,34b)和/或所述可磁化层(35)布置在所述反射涂层(31)和所述基板(30)之间。

12.如上述权利要求任一项所述的光学元件，其中，所述活性层(34,34a,34b)的磁致伸缩材料从包括SeF₂、TbFe₂、DyFe₂、Terfenol-D(Tb_(x)Dy_(1-x)Fe₂)、galfenol(Ga_(x)Fe_(1-x))、Ni、Fe、Co、Gd、Er、SmFe₂、Samfenol-D和它们的合成物的组中选择。

13.光学装置(40)，尤其是EUV光刻设备，包括至少一个根据上述权利要求所述的光学元件(15,21)。

14.如权利要求13所述的光学装置，还包括：用于在所述至少一个活性层(34)中产生磁场(36；36b)的场产生装置(17a,17b)，所述磁场尤其能够以取决于位置的方式变化。

15.如权利要求14所述的光学装置，其中，所述场产生装置(17a,17b)设计用于通过产生周期变化的磁场(36,26b)感应加热所述至少一个活性层(34,34a,34b)和/或所述至少一个可磁化层(35)。

16.如权利要求15所述的光学装置，其中，所述场产生装置(17a,17b)设计用于产生磁场，所述磁场能够以高于20kHz的频率(f)周期变化。