[发明专利]清洗用液态组合物、半导体元件的清洗方法、以及半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种清洗用液态组合物，其用于半导体元件的制造，所述清洗用液态组合物包含：

0.05～25质量％的氢氧化季铵、

0.001～1.0质量％的氢氧化钾、

5～85质量％的水溶性有机溶剂、以及，

0.0005～10质量％的吡唑类。

2.根据权利要求1所述的清洗用液态组合物，其中，所述氢氧化季铵为选自由氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙基铵、氢氧化四丙基铵、氢氧化四丁基铵和胆碱组成的组中的1种以上。

3.根据权利要求1或2所述的清洗用液态组合物，其中，所述水溶性有机溶剂为选自由下述物质组成的组中的1种以上：选自乙醇、2-丙醇、乙二醇、丙二醇、甘油、二乙二醇、木糖醇和山梨糖醇的醇类，选自二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚、二乙二醇二甲基醚、二丙二醇单甲醚和二丙二醇单丙醚的二醇醚类，选自N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺和N-甲基-2-吡咯烷酮的酰胺类，二甲基亚砜，以及1,3-二甲基-2-咪唑烷酮。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的清洗用液态组合物，其中，所述吡唑类为选自由吡唑、3,5-二甲基吡唑、3-甲基-5-吡唑啉酮和3-氨基-5-羟基吡唑组成的组中的1种以上。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的清洗用液态组合物，其中，所述清洗用液态组合物还包含水。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的清洗用液态组合物，其中，所述清洗用液态组合物不含除所述吡唑类以外的唑类。

7.一种半导体元件的清洗方法，其包括以下的工序：

在基板上从下到上依次层叠有机硅氧烷系薄膜和光致抗蚀层的工序，所述基板具有：低介电常数层间绝缘膜，以及，铜布线和/或铜合金布线；

对所述光致抗蚀层实施选择性的曝光和显影处理，形成光致抗蚀图案的工序；

将所述抗蚀图案作为掩模，对有机硅氧烷系薄膜、低介电常数层间绝缘膜实施干式蚀刻处理的工序；以及，

使用清洗用液态组合物，去除有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的工序，

其中，所述清洗用液态组合物包含：

0.05～25质量％的氢氧化季铵、

0.001～1.0质量％的氢氧化钾、

5～85质量％的水溶性有机溶剂、以及，

0.0005～10质量％的吡唑类。

8.一种半导体元件的清洗方法，其包括以下的工序：

在基板上从下到上依次层叠硬掩模、有机硅氧烷系薄膜和光致抗蚀层的工序，所述基板具有：低介电常数层间绝缘膜，以及，铜布线和/或铜合金布线；

对所述光致抗蚀层实施选择性的曝光和显影处理，形成光致抗蚀图案的工序；

将所述光致抗蚀图案作为掩模，对硬掩模、有机硅氧烷系薄膜和低介电常数层间绝缘膜实施干式蚀刻处理的工序；以及，

使用清洗用液态组合物，去除有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的工序，

其中，所述清洗用液态组合物包含：

0.05～25质量％的氢氧化季铵、

0.001～1.0质量％的氢氧化钾、

5～85质量％的水溶性有机溶剂、以及，

0.0005～10质量％的吡唑类。

9.根据权利要求7或8所述的半导体元件的清洗方法，其中，所述氢氧化季铵为选自由氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙基铵、氢氧化四丙基铵、氢氧化四丁基铵和胆碱组成的组中的1种以上。

10.根据权利要求7～9中任一项所述的半导体元件的清洗方法，其中，所述水溶性有机溶剂为选自由下述物质组成的组中的1种以上：选自乙醇、2-丙醇、乙二醇、丙二醇、甘油、二乙二醇、木糖醇和山梨糖醇的醇类，选自二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚、二乙二醇二甲基醚、二丙二醇单甲醚和二丙二醇单丙醚的二醇醚类，选自N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺和N-甲基-2-吡咯烷酮的酰胺类，二甲基亚砜，以及1,3-二甲基-2-咪唑烷酮。

11.根据权利要求7～10中任一项所述的半导体元件的清洗方法，其中，所述吡唑类为选自由吡唑、3,5-二甲基吡唑、3-甲基-5-吡唑啉酮和3-氨基-5-羟基吡唑组成的组中的1种以上。