[发明专利]具有机械熔丝的半导体封装有效
| 申请号： | 201380028106.6 | 申请日： | 2013-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN104321865B | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 郑永康;K.L.林;F.埃德;Q.马 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L25/07 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 臧永杰,马永利 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 机械 半导体 封装 | ||
1.一种半导体结构，包括：
半导体封装；
半导体裸片，其容纳在半导体封装中；
微机电系统（MEMS）设备，其容纳在半导体封装中，MEMS设备具有悬置部分；以及
机械熔丝，其容纳在半导体封装中并且耦合至MEMS设备的悬置部分；
其中悬置部分的有效长度能够通过使机械熔丝从MEMS设备的悬置部分去耦而修改。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，半导体封装包括无凸起构建层（BBUL）衬底。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中半导体裸片被嵌入在BBUL衬底中，并且MEMS设备和机械熔丝被布置在BBUL衬底的一个或多个层中。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中MEMS设备和机械熔丝被布置在半导体裸片的有源表面上。
5.根据权利要求2所述的半导体结构，其中BBUL衬底是无芯衬底。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中MEMS设备包括单夹持的悬臂或双夹持的梁结构，并且机械熔丝被耦合至悬臂或梁结构。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中MEMS设备的悬置部分具有有效弹簧常数，并且其中机械熔丝修改悬置部分的有效弹簧常数。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中MEMS设备的悬置部分具有谐振频率，并且其中机械熔丝修改悬置部分的谐振频率。
9.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：
一个或多个附加机械熔丝，其容纳在半导体封装中并且被耦合至MEMS设备的悬置部分。
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其中机械熔丝和MEMS设备包括铜。
11.根据权利要求1所述的半导体结构，其中MEMS设备电耦合至半导体裸片。
12.一种半导体结构，包括：
半导体封装；
半导体裸片，其容纳在半导体封装中；
微机电系统（MEMS）设备，其容纳在半导体封装中，MEMS设备具有悬置部分；以及
机械熔丝，其容纳在半导体封装中，并且从MEMS设备的悬置部分被去耦以便修改悬置部分的有效长度。
13.根据权利要求12所述的半导体结构，其中，半导体封装包括无凸起构建层（BBUL）衬底。
14.根据权利要求13所述的半导体结构，其中半导体裸片被嵌入在BBUL衬底中，并且MEMS设备和机械熔丝被布置在BBUL衬底的一个或多个层中。
15.根据权利要求14所述的半导体结构，其中MEMS设备和机械熔丝被布置在半导体裸片的有源表面上。
16.根据权利要求13所述的半导体结构，其中BBUL衬底是无芯衬底。
17.根据权利要求12所述的半导体结构，其中MEMS设备包括单夹持的悬臂或双夹持的梁结构，并且机械熔丝从悬臂或梁结构被去耦。
18.根据权利要求12所述的半导体结构，还包括：
一个或多个附加机械熔丝，其容纳在半导体封装中并且从MEMS设备的悬置部分被去耦。
19.根据权利要求12所述的半导体结构，还包括：
一个或多个附加机械熔丝，其容纳在半导体封装中并且耦合至MEMS设备的悬置部分。
20.根据权利要求12所述的半导体结构，其中机械熔丝和MEMS设备包括铜。
21.根据权利要求12所述的半导体结构，其中MEMS设备电耦合至半导体裸片。
22.一种为半导体结构的微机电系统（MEMS）设备来修改机械属性的方法，所述方法包括：
将电压施加到包括MEMS设备和被耦合至MEMS设备的悬置部分的机械熔丝在内的MEMS结构；以及
通过施加电压来使机械熔丝从MEMS设备的悬置部分去耦以便修改悬置部分的有效长度。
23.根据权利要求22所述的方法，其中使机械熔丝去耦包括使用热断裂机制。
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