[发明专利]热电转换材料及使用其的热电转换模块以及其制造方法有效
申请号: | 201380028161.5 | 申请日: | 2013-07-09 |
公开(公告)号: | CN104321889B | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 泽孝雄 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝高新材料公司 |
主分类号: | H01L35/20 | 分类号: | H01L35/20;H01L35/18;H01L35/32 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 王永红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热电 转换 材料 使用 模块 及其 制造 方法 | ||
1.热电转换材料,其由下述组成式(1)表示,且包含具有MgAgAs型晶体结构的多晶体,其特征在于,多晶体的绝缘被膜形成面的表面粗糙度Ra为0.2μm以上,在多晶体的电极接合面以外的面设有绝缘被膜,在多晶体的电极接合面设置有金属膜,所述金属膜为Ni或Au,所述绝缘被膜的主成分包含选自氧化硅、氧化铁、氧化铬、磷酸铝和氧化锆的至少一种以上,所述绝缘被膜的热膨胀系数是7×10-6~12×10-6/℃,所述绝缘被膜的热膨胀系数与满足组成式(1)的热电转换材料近似,
通式:(Aa1Tib1)xDyX100-x-y组成式(1)
所述组成式(1)中,0.2≤a1≤0.7,0.3≤b1≤0.8,a1+b1=1,30≤x≤35,30≤y≤35,A为Zr、Hf的至少一种以上的元素,D为选自由Ni、Co及Fe构成的组的至少一种以上的元素,X为Sn及Sb的至少一种以上的元素。
2.根据权利要求1所述的热电转换材料,其特征在于,绝缘被膜的平均厚度为3μm以上。
3.根据权利要求1~2中任一项所述的热电转换材料,其特征在于,所述D为选自由Ni及Co构成的组的至少一种以上的元素。
4.热电转换模块,其特征在于,使用了权利要求1~2中任一项所述的热电转换材料。
5.热电转换材料的制造方法,其特征在于,具备:
制备由下述组成式(1)表示且包含具有MgAgAs型晶体结构的多晶体的热电转换材料的工序,所述多晶体的绝缘被膜形成面的表面粗糙度Ra为0.2μm以上;
在热电转换材料的电极接合面以外的面形成绝缘被膜的工序;以及
在多晶体的电极接合面设置金属膜的工序,所述金属膜为Ni或Au,
所述绝缘被膜的主成分包含选自氧化硅、氧化铁、氧化铬、磷酸铝和氧化锆的至少一种以上,所述绝缘被膜的热膨胀系数是7×10-6~12×10-6/℃,所述绝缘被膜的热膨胀系数与满足组成式(1)的热电转换材料近似,
通式:(Aa1Tib1)xDyX100-x-y组成式(1)
上述组成式(1)中,0.2≤a1≤0.7,0.3≤b1≤0.8,a1+b1=1,30≤x≤35,30≤y≤35,A为Zr、Hf的至少一种以上的元素,D为选自由Ni、Co及Fe构成的组的至少一种以上的元素,X为Sn及Sb的至少一种以上的元素。
6.根据权利要求5所述的热电转换材料的制造方法,其特征在于,在形成绝缘被膜的工序之后,在电极接合面实施金属镀层或蒸镀膜。
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