[发明专利]摄像装置的制造方法以及半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及具有切断接合晶圆的工序的摄像装置的制造方法以及半导体装置的制造方法，该接合晶圆为多个摄像芯片(半导体芯片)接合于支承基板的接合晶圆

背景技术

为了半导体装置的小型化，采用了芯片尺寸封装(CSP)技术。在CSP中，在半导体芯片上形成有到达第2主面的贯穿布线，该半导体芯片在第1主面上形成有半导体电路部，第2主面的外部连接端子与布线板相连接。

在此，在小型的摄像装置中，在形成有作为半导体电路部的受光部的摄像芯片的第1主面上接合有用于保护受光部的透明支承构件。为了一并制作多个摄像装置，采用了晶圆级芯片尺寸封装(WL－CSP)技术。在WL－CSP中，在形成有多个受光部的摄像芯片基板与透明支承基板之间借助粘接层相粘接的接合晶圆的状态下进行贯穿布线形成等的加工，之后单片化为各个摄像装置。

但是，在以往的WL－CSP中，在摄像芯片基板的摄像芯片的成品率较低的情况下，具有不合格受光部的摄像芯片也被加工为摄像装置，因此制造成本增大。另外，伴随着半导体晶圆的大口径化，加工设备也需要全部对应大口径，设备投资费用增大且制造成本增大，因此生产率降低。

另外，在日本国特开2011－243596号公报中公开了一种基于CSP法的封装元件的制造方法，在该制造方法中，利用密封树脂将安装于硅晶圆的安装面的半导体芯片密封之后，对硅晶圆自与安装面相反的面进行研磨加工等，进而单片化为各个封装元件。

即，在上述制造方法中，半导体芯片未被加工，硅晶圆被加工而成为半导体芯片的中介层。

在上述封装元件的制造方法中，对于与安装有半导体芯片的面相对的面进行贯穿布线形成等晶圆工艺。对此，在对露出了半导体芯片和密封树脂的面进行晶圆工艺的半导体装置的制造方法中，密封树脂有可能会在晶圆工艺中劣化，降低可靠性。

发明内容

发明要解决的问题

本发明的实施方式的目的在于提供可靠性较高的摄像装置的制造方法以及可靠性较高的半导体装置的制造方法。

用于解决问题的方案

本发明的实施方式的摄像装置的制造方法包括：多个受光部形成于第1主面，切断在各个受光部的周围形成有电极焊盘的摄像芯片基板而制作多个摄像芯片的工序；借助透明的粘接层将摄像芯片的上述第1主面粘接于透明的支承基板而制作接合晶圆的工序；利用密封构件将粘接于上述接合晶圆的上述多个摄像芯片之间填充的工序；将上述接合晶圆从第2主面侧加工而减薄厚度的工序；在上述第2主面上形成蚀刻掩模的工序；使用上述蚀刻掩模在上述摄像芯片形成贯穿通路的工序；剥离上述蚀刻掩模的工序；形成覆盖上述摄像芯片的上述第2主面、上述密封构件的表面以及上述贯穿通路的壁面的绝缘层的工序；形成借助上述贯穿通路与上述电极焊盘连接的贯穿布线的工序；在上述第2主面上形成与上述贯穿布线连接的外部连接电极的工序；以及切断上述接合晶圆的工序。

另外，其它实施方式的半导体装置的制造方法包括：多个半导体电路部形成于第1主面，切断在各个半导体电路部的周围形成有电极焊盘的半导体芯片基板而制作多个半导体芯片的工序；借助粘接层将半导体芯片的上述第1主面粘接于支承基板而制造接合晶圆的工序；利用密封构件将粘接于上述接合晶圆的上述多个半导体芯片之间填充的工序；将上述接合晶圆从第2主面侧加工而减薄厚度的工序；在上述第2主面上形成蚀刻掩模的工序；使用上述蚀刻掩模在上述半导体芯片形成贯穿通路的工序；剥离上述蚀刻掩模的工序；形成覆盖上述半导体芯片的上述第2主面、上述密封构件的表面以及上述贯穿通路的壁面的绝缘层的工序；形成借助上述贯穿通路与上述电极焊盘连接的贯穿布线的工序；在上述第2主面上形成与上述贯穿布线连接的外部连接电极的工序；以及切断上述接合晶圆的工序。

附图说明

图1是实施方式的摄像装置的剖视图。

图2是用于说明实施方式的摄像装置的制造方法的立体图。

图3A是用于说明实施方式的摄像装置的制造方法的流程图。

图3B是用于说明实施方式的摄像装置的制造方法的流程图。

图4是实施方式的摄像装置的透明基板的俯视图和局部放大图。

图5是实施方式的摄像装置的摄像芯片的立体图。

图6A是用于说明实施方式的摄像装置的制造方法的剖视图。

图6B是用于说明实施方式的摄像装置的制造方法的剖视图。

图6C是用于说明实施方式的摄像装置的制造方法的剖视图。