[发明专利]光合成器和共焦观察系统

权利要求书

1.一种光耦合器设备，包括：

第一WDM型光耦合器，所述第一WDM型光耦合器具有第一端口、第二端口和第四端口，当把所述第一端口当作输入端时，所述第四端口被定位成交叉端口，当把所述第二端口当作输入端时，所述第四端口被定位成直通端口；以及

第二WDM型光耦合器，所述第二WDM型光耦合器具有第五端口、第六端口、第七端口和第八端口，当把所述第五端口当作输入端时，所述第七端口被定位成直通端口，当把所述第六端口当作输入端时，所述第七端口被定位成交叉端口，当把所述第五端口当作输入端时，所述第八端口被定位成交叉端口，当把所述第六端口当作输入端时，所述第八端口被定位成直通端口；

所述第一WDM型光耦合器的所述第四端口和所述第二WDM型光耦合器的所述第五端口进行光耦合，所述第一WDM型光耦合器的所述第二端口和所述第二WDM型光耦合器的所述第八端口进行光耦合。

2.根据权利要求1所述的光耦合器设备，其中所述第一WDM型光耦合器和所述第二WDM型光耦合器具有如下透过率特性，

进入所述第一端口的具有第一峰值波长的光通过所述第四端口和所述第五端口从所述第七端口射出，

从所述第七端口进入的具有大于第一峰值波长的第二峰值波长的光直接从所述第六端口射出或者在经过所述第五端口、所述第四端口、所述第二端口和所述第八端口的每一个之后从所述第六端口射出。

3.根据权利要求2所述的光耦合器设备，其中所述第一WDM型光耦合器的直通端口之间以及交叉端口之间的透过率的周期是所述第二WDM型光耦合器的直通端口之间以及交叉端口之间的透过率的周期的2倍。

4.根据权利要求3所述的光耦合器设备，其中所述第二WDM型光耦合器的交叉端口之间的透过率的峰值波长基本匹配所述第二峰值波长。

5.根据权利要求3或4所述的光耦合器设备，其中对于所述第一峰值波长，所述第一WDM型光耦合器的交叉端口之间的透过率是80％或更多。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的光耦合器设备，其中所述第二WDM型光耦合器的直通端口之间的透过率在所述第一峰值波长处与所述第一WDM型光耦合器的交叉端口之间的透过率一同达到峰值，然后与所述第一WDM型光耦合器的直通端口之间的透过率一同达到下一个峰值。

7.根据权利要求2所述的光耦合器设备，其中所述第一WDM型光耦合器和所述第二WDM型光耦合器具有相同的透过率特性。

8.根据权利要求7所述的光耦合器设备，其中所述第一和第二WDM型光耦合器的交叉端口之间的透过率的峰值波长基本匹配所述第二峰值波长。

9.根据权利要求7或8所述的光耦合器设备，其中所述第一和第二WDM型光耦合器的直通端口之间的透过率的50％至小于100％的区域包括所述第一峰值波长。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的光耦合器设备，其中所述第一WDM型光耦合器包括第三端口，当把所述第一端口当作输入端时并且在所述第三端口被终止的情况下，所述第三端口被定位成直通端口。

11.一种共焦观察系统，包括根据权利要求1至权利要求10中任一项所述的光耦合器设备，其中所述共焦观察系统包括：

光源和光探测器，所述光源发射具有第一峰值波长的光；

所述第一WDM型光耦合器的所述第一端口与所述光源光耦合；

所述第二WDM型光耦合器的所述第六端口与所述光探测器进行光耦合；

所述光源通过所述第二WDM型光耦合器的所述第七端口将光发射至观察对象；以及

所述光探测器通过所述第二WDM型光耦合器的所述第七端口获得来自所述观察对象的回光，所述回光具有大于所述第一峰值波长的第二峰值波长。

12.根据权利要求11所述的共焦观察系统，包括扫描装置，所述扫描装置通过使用经过所述第二WDM型光耦合器的所述第七端口的具有所述第一峰值波长的光来扫描所述观察对象以进行共焦观察。

13.根据权利要求11或权利要求12其中之一所述的共焦观察系统，其中从所述光源发射的光被用作激发光，从所述观察对象获得的光是由所述激发光引起的荧光。

14.一种扫描型共焦内窥镜，包括根据权利要求11至13中任一项所述的共焦观察系统。