[发明专利]真空处理装置、真空处理方法和存储介质

权利要求书

1.一种真空处理装置，该真空处理装置用于、利用将等离子体产生用气体等离子体化而得到的等离子体中的离子溅射以面朝真空容器内的载置部上的基板的方式配置的靶而在基板上形成金属膜、并接着将该金属膜氧化，该真空处理装置的特征在于，

该真空处理装置包括：

第1靶，其由具有吸附氧的性质的物质构成；

第2靶，其由金属构成；

电源部，其用于对所述第1靶和所述第2靶施加电压；

活动挡板，其用于防止在溅射所述第1靶和所述第2靶中的一个时来自该一个靶的粒子附着于另一个靶；

遮蔽构件，其在遮蔽基板的遮蔽位置与从遮蔽基板的位置退避的退避位置之间移动自如，以防止来自所述第1靶的粒子附着于基板；

氧供给部，其用于向所述载置部上的基板供给含氧气体；

控制部，其用于执行如下步骤：为了使第1靶的粒子附着在所述真空容器内，而在将所述遮蔽构件设定在遮蔽位置的状态下向第1靶供给等离子体产生用电压，从而对第1靶进行溅射的步骤；接着，停止对第1靶供给电压，在将所述遮蔽构件设定在退避位置的状态下，为了在基板上形成金属膜，而对第2靶供给等离子体产生用电压，从而对第2靶进行溅射的步骤；接着，由所述氧供给部向所述基板供给含氧气体的步骤。

2.一种真空处理装置，该真空处理装置用于、利用将等离子体产生用气体等离子体化而得到的等离子体中的离子溅射以面朝真空容器内的载置部上的基板的方式配置的靶而在基板上形成金属膜、并接着将该金属膜氧化，该真空处理装置的特征在于，

该真空处理装置包括：

靶，其由具有吸附氧的性质的金属构成；

电源部，其用于对所述靶施加电压；

遮蔽构件，其在遮蔽基板的遮蔽位置与从遮蔽基板的位置退避的退避位置之间移动自如，以防止来自所述靶的粒子附着于基板；

氧供给部，其用于向所述载置部上的基板供给含氧气体；

控制部，其用于执行如下步骤：为了使靶的粒子附着在所述真空容器内，而在将所述遮蔽构件设定在遮蔽位置的状态下向靶供给等离子体产生用电压，从而对该靶进行溅射的步骤；接着，停止对靶供给电压，在将所述遮蔽构件设定在退避位置的状态下，为了在基板上形成金属膜，而向所述靶供给等离子体产生用电压，从而对该靶进行溅射的步骤；接着，由所述氧供给部向所述基板供给含氧气体的步骤。

3.根据权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，

所述氧供给部设于所述遮蔽构件。

4.根据权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，

该真空处理装置包括加热部，该加热部用于在由所述氧供给部向真空容器内喷出含氧气体之前对该含氧气体进行加热。

5.根据权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，

所述第1靶为从钛、铬、钽、锆、镁、铪中选出的一种金属或者含有它们中的一种以上的合金。

6.根据权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，

所述第2靶为从镁、铝、镍、镓、锰、铜、银、锌、铪中选出的一种金属。

7.一种真空处理方法，在该真空处理方法中，利用将等离子体产生用气体等离子体化而得到的等离子体中的离子溅射以面朝真空容器内的载置部上的基板的方式配置的靶而在基板上形成金属膜、并接着将该金属膜氧化，该真空处理方法的特征在于，

在该真空处理方法中，使用由具有吸附氧的性质的物质构成的第1靶和由金属构成的第2靶，

该真空处理方法包括如下工序：

为了防止来自所述第1靶的粒子附着于所述基板而利用遮蔽构件遮蔽所述载置部上的所述基板，并且为了防止来自第1靶的粒子附着于第2靶而在面朝第2靶的位置配置活动挡板的工序；

接着，向所述第1靶供给等离子体产生用电压而对所述第1靶进行溅射，由此使第1靶的粒子附着在真空容器内的工序；

接着，停止对所述第1靶供给电压，并且为了防止来自第2靶的粒子附着于第1靶而在面朝第1靶的位置配置活动挡板，并且将遮蔽构件从遮蔽所述基板的位置退避的工序；

之后，对所述第2靶供给等离子体产生用电压而对该第2靶进行溅射，从而在所述基板上形成金属膜的工序；

接着，向所述载置部上的所述基板供给含氧气体的工序。