[发明专利]具有致冷剂容器的超导磁体设备

权利要求书

1.一种超导磁体设备，包括：

-至少一个超导绕组(20)；

-外真空室(OVC)(10)，容纳所述至少一个超导绕组(20)；

-至少一个热辐射屏蔽件(12)，位于所述至少一个超导绕组(20)和所述OVC(10)之间；

-致冷剂容器(22)，定位在所述至少一个热辐射屏蔽件(12)内，并且定位在所述OVC(10)内，所述至少一个超导绕组(20)定位在所述致冷剂容器(22)的外部；

-至少一个冷冻器(26)，可操作成将所述致冷剂容器(22)冷却到液态致冷剂温度，并且布置成将所述至少一个热辐射屏蔽件(12)中的每个冷却到介于所述液态致冷剂温度和所述OVC的温度之间的中间温度，

其特征在于，所述致冷剂容器(22)的外表面的相当一部分在所述液态致冷剂温度下具有比所述至少一个超导绕组的平均表面发射率要大至少0.1的热发射率。

2.根据权利要求1所述的超导磁体设备，其中，所述致冷剂容器(22)的外表面的相当一部分包括所述致冷剂容器(22)的外表面的至少30％。

3.根据权利要求2所述的超导磁体设备，其中，所述致冷剂容器(22)的外表面的相当一部分包括所述致冷剂容器(22)的外表面的至少50％。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的超导磁体设备，其中，所述致冷剂容器(22)的外表面的相当一部分在所述液态致冷剂温度下的热发射率为至少0.5。

5.根据权利要求4所述的超导磁体设备，其中，所述致冷剂容器(22)的外表面的相当一部分在所述液态致冷剂温度下的热发射率为至少0.8。

6.根据权利要求5所述的超导磁体设备，其中，所述致冷剂容器(22)的外表面的相当一部分在所述液态致冷剂温度下的热发射率为至少0.9。

7.根据前述任一权利要求所述的超导磁体设备，其中，所述致冷剂容器的表面是波纹状的。

8.根据前述任一权利要求所述的超导磁体设备，其中，所述致冷剂容器的表面设置有导热翅片，所述导热翅片使所述致冷剂容器的表面的至少一部分被处理成提供高的热发射率。

9.根据前述任一权利要求所述的超导磁体设备，其中，所述致冷剂容器的视线暴露于超导绕组的表面在所述液态致冷剂温度下具有相对低的热发射率表面，而未如此暴露的表面在所述液态致冷剂温度下具有更高的热发射率，比所述至少一个超导绕组的平均表面发射率要大至少0.1。

10.一种超导磁体设备，包括：

-至少一个超导绕组(20)；

-外真空室(OVC)(10)，容纳所述至少一个超导绕组(20)；

-至少一个热辐射屏蔽件(12)，位于所述至少一个超导绕组(20)和所述OVC(10)之间；

-冷却表面(44)，定位在所述至少一个热辐射屏蔽件(12)内，并且定位在所述OVC(10)内；

-至少一个冷冻器(26)，可操作成将所述冷却表面(44)、所述至少一个超导绕组冷却到可以进行超导的温度，并且将所述至少一个热辐射屏蔽件(12)中的每个冷却到介于超导线圈的温度和所述OVC的温度之间的中间温度，

其特征在于，所述冷却表面的相当一部分在液态致冷剂温度下具有比所述至少一个超导绕组的平均表面发射率要大至少0.1的热发射率。

11.根据权利要求10所述的超导磁体设备，其中，所述冷却表面的相当一部分具有所述超导绕组的表面积的至少20％的表面积。

12.根据权利要求11所述的超导磁体设备，其中，所述冷却表面的相当一部分具有所述超导绕组的表面区域的至少50％的表面积。

13.根据权利要求10-12中任一项所述的超导磁体设备，其中，所述冷却表面的相当一部分的热发射率为至少0.5。

14.根据权利要求13所述的超导磁体设备，其中，所述冷却表面的相当一部分的热发射率为至少0.8。

15.根据权利要求14所述的超导磁体设备，其中，致冷剂容器(22)的外表面的相当一部分在所述液态致冷剂温度下的热发射率为至少0.9。

16.根据前述任一权利要求所述的超导磁体设备，其中，所述冷却表面的表面是波纹状的。