[发明专利]高利用率光伏器件在审
申请号: | 201380028991.8 | 申请日: | 2013-05-29 |
公开(公告)号: | CN104412390A | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 刘华;冯捷;L·C·洛佩斯;R·K·费斯特;K·L·考夫曼 | 申请(专利权)人: | 陶氏环球技术有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/05;H01L31/043;H02S20/25 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 吴亦华 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用率 器件 | ||
1.一种制品,其包含:
限定太阳能有效面积的透明前板,所述前板与后板结构上偶联,所述前板和所述后板具有布置在其间的光伏(PV)器件,所述PV器件包含:
包含第一光伏活性材料的第一PV电池层;
包含第二光伏活性材料的第二PV电池层;并且
其中所述第一PV电池层和所述第二PV电池层至少部分地移位并在整个所述太阳能有效面积上限定连续光学覆盖区。
2.权利要求1所述的制品,其中所述第一光伏活性材料和所述第二光伏活性材料包含不同的PV材料。
3.权利要求1和2任一项所述的制品,其中所述第一PV电池层和所述第二PV电池层包含在所述太阳能有效面积的框架内的电隔离层。
4.前述权利要求任一项所述的制品,其中所述连续光学覆盖构造为使得所述第一光伏活性材料和第二光伏活性材料的至少一种被直接暴露超过所述太阳能有效面积的暴露正面区的至少85%。
5.前述权利要求任一项所述的制品,其中所述第一PV电池层和所述第二PV电池层各自包含不同的旁路二极管。
6.前述权利要求任一项所述的制品,其还包含外电路耦合,所述外电路耦合与所述第一PV电池层和第二PV电池层以选自串联、并联和串联-并联的电学构造进行电偶联。
7.权利要求1至5任一项所述的制品,其还包含与所述第一PV电池层偶联的第一外电路耦合和与所述第二PV电池层偶联的第二外电路耦合。
8.前述权利要求任一项所述的制品,所述第一PV电池层包含具有主轴以第一方向布置的纵横比的多个第一电池,和所述第二PV电池层包含具有主轴以第二方向布置的纵横比的多个第二电池,其中所述第一方向偏离于所述第二方向。
9.权利要求8所述的制品,其中所述第一方向垂直于所述第二方向。
10.权利要求1至7任一项所述的制品,其中所述第二PV电池层包括框架,所述框架包含第二光伏活性材料,其根据减去所述第一PV电池层的容纳空间的太阳能有效面积成型。
11.权利要求10所述的制品,其中所述第一光伏活性材料包含晶体二氧化硅,并且其中所述第二光伏活性材料包含硒化铜铟镓。
12.权利要求1至7任一项所述的制品,其中所述第二PV电池层包含形状为所述太阳能有效面积的第二光伏活性材料,并且其中所述第二PV电池层布置在所述第一PV电池层垂直下方。
13.前述权利要求任一项所述的制品,其中所述第一PV电池层和第二PV电池层中垂直上方的层布置得光学遮蔽所述第一PV电池层和第二PV电池层中垂直下方的层的电连接组件。
14.前述权利要求任一项所述的制品,其中所述制品包含建筑物一体化建筑材料单元。
15.一种方法,其包括:
形成光伏器件,其中所述形成包括提供包含第一光伏活性材料的第一光伏(PV)电池层和包含第二光伏活性材料的第二PV电池层,和将所述第二PV电池层相对于所述第一PV电池层至少部分地移位布置;
解读外电路说明;
在按照所述外电路说明选择的电学构造中电偶联所述第一PV电池层和第二PV电池层;
提供透明前板和后板;
在所述前板和后板之间布置所述光伏器件,使得所述前板限定太阳能有效面积以及所述第一PV电池层和第二PV电池层在整个所述太阳能有效面积上限定连续光学覆盖区;和
结构偶联所述前板与后板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的