[发明专利]氮化镓到硅的直接晶片粘结有效
| 申请号： | 201380029045.5 | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN104471726B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | A·尤森科 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 郭辉 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 镓到硅 直接 晶片 粘结 | ||
1.一种用于形成混合半导体结构的方法，所述方法包括：
提供待粘结的硅表面和待粘结的氮化物表面；
将所述硅表面和氮化物表面暴露于含氨的等离子体，来分别形成氨处理的表面；
结合所述氨处理的硅表面和氨处理的氮化物表面以形成中间粘结结构；和
对所述中间粘结结构进行退火以形成具有在所述硅表面和氮化物表面之间的粘结界面的粘结的混合半导体结构；
其中，所述方法还包括在将所述硅表面和氮化物表面暴露于含氨等离子体之后，使所述硅表面和氮化物表面暴露于分子氨。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化物表面包含氮化镓。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氨处理的表面包括氨自由基。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氨处理的表面包括分子氨。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氨处理的表面包括氨自由基和分子氨。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氨处理的表面包括与待粘结的表面接触的氨自由基和与所述氨自由基接触的分子氨。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，实施所述退火来从氨处理的硅表面和氨处理的氮化物表面去除氨自由基和分子氨。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述粘结界面不含氧。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述粘结的混合半导体结构是硅-叠-绝缘体结构。
10.一种中间粘结结构，其包括待粘结的硅表面、待粘结的氮化物表面、与各待粘结的表面接触的氨自由基以及和所述氨自由基接触的分子氨。
11.一种按照权利要求1-9任一项所述方法制得的粘结的混合半导体结构，其包括硅表面和氮化物表面之间的粘结界面，其特征在于，所述粘结界面不含氧。
12.一种包括如权利要求11所述的粘结的混合半导体结构的LED。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于康宁股份有限公司，未经康宁股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380029045.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：动作控制的GNSS接收机及其控制方法
- 下一篇：用于燃料电池组的压缩系统
