[发明专利]含有磺酸*盐的含硅EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物

权利要求书

1.一种EUV光刻用抗蚀剂形成用下层膜的组合物，其包含作为硅烷的水解性有机硅烷、其水解物或其水解缩合物，还包含含有烃基的磺酸根离子与离子的盐。

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述水解性有机硅烷包含选自式(1)和式(2)中的至少1种有机硅化合物、其水解物或其水解缩合物，

R¹_aSi(R²)_4-a        式(1)

式(1)中，R¹表示含有烃基的磺酸根离子与离子的盐、烷基、芳基、芳烷基、卤代烷基、卤代芳基、卤代芳烷基或链烯基，或者为具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、烷氧基芳基、酰氧基芳基、异氰脲酸酯基、羟基、环状氨基或氰基、并且通过Si-C键与硅原子结合的有机基团或它们的组合，R²表示烷氧基、酰氧基或卤基，a表示0～3的整数，

〔R³_cSi(R⁴)_3-c〕₂Y_b          式(2)

式(2)中，R³表示烷基，R⁴表示烷氧基、酰氧基或卤基，Y表示亚烷基或亚芳基，b表示0或1的整数，c为0或1的整数。

3.根据权利要求2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其以聚合物的形式包含所述式(1)所示的化合物的水解缩合物。

4.根据权利要求1～3的任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，离子为锍离子或铵离子。

5.根据权利要求1～4的任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，离子为包含至少一个具有芳香族环的有机基团的离子。

6.根据权利要求1～5的任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有烃基的磺酸根离子为具有可以被部分取代的烃基的磺酸根离子。

7.根据权利要求1～6的任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其还包含酸。

8.根据权利要求1～7的任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其还包含水。

9.一种EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含作为硅烷的水解性有机硅烷、其水解物或其水解缩合物，该水解性有机硅烷为式(2)所示的有机硅化合物，

〔R³_cSi(R⁴)_3-c〕₂Y_b           式(2)

式(2)中，R³表示烷基，R⁴表示烷氧基、酰氧基或卤基，Y表示亚烷基或亚芳基，b表示0或1的整数，c为0或1的整数。

10.根据权利要求9所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其还包含酸。

11.根据权利要求9或10所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其还包含水。

12.一种抗蚀剂下层膜，其是通过将权利要求1～11的任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在半导体基板上，进行烘烤而获得的。

13.一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：将权利要求1～11的任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在半导体基板上，进行烘烤，形成抗蚀剂下层膜的工序；在所述下层膜上涂布EUV抗蚀剂用组合物，形成抗蚀剂膜的工序；将所述抗蚀剂膜进行EUV曝光的工序；在曝光后将抗蚀剂膜进行显影，获得抗蚀剂图案的工序；利用该抗蚀剂图案对抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序；和利用被图案化了的抗蚀剂膜和抗蚀剂下层膜，对半导体基板进行加工的工序。

14.一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：在半导体基板上形成有机下层膜的工序；在所述有机下层膜上涂布权利要求1～11的任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，进行烘烤，形成抗蚀剂下层膜的工序；在所述抗蚀剂下层膜上涂布EUV抗蚀剂用组合物，形成抗蚀剂膜的工序；将所述抗蚀剂膜进行EUV曝光的工序；在曝光后将抗蚀剂膜进行显影，获得抗蚀剂图案的工序；利用该抗蚀剂图案对抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序；利用被图案化了的抗蚀剂下层膜对有机下层膜进行蚀刻的工序；和利用被图案化了的有机下层膜对半导体基板进行加工的工序。