[发明专利]薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201380029493.5 | 申请日： | 2013-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN104335355B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 后藤裕史;三木绫;岸智弥;广濑研太;森田晋也;钉宫敏洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C23C14/34;H01L21/336;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 张玉玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，在基板上至少依次具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极及保护所述源-漏电极的保护膜，
所述氧化物半导体层是具有由In、Ga、Zn、Sn及O构成的第一氧化物半导体层和由In、Zn、Sn及O构成的第二氧化物半导体层的层叠体，
所述第二氧化物半导体层形成于所述栅极绝缘膜之上，且
所述第一氧化物半导体层形成于所述第二氧化物半导体层与所述保护膜之间，并且
在所述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量以原子％计为：
In：25％以下且不含0％、
Ga：5％以上、
Zn：35～65％、以及
Sn：8～30％。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，在所述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量以原子％计为：
In：20％以下且不含0％、
Ga：15％以上且低于50％、
Zn：35～65％、以及
Sn：8～30％。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其中，所述第一氧化物半导体层相对于源-漏电极用湿蚀刻液的蚀刻速率为所述源-漏电极的蚀刻速率的1/2以下。
4.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其中，所述第二氧化物半导体层的厚度为0.5nm以上。
5.一种显示装置，其具备权利要求1或2所述的薄膜晶体管。
6.一种薄膜晶体管，其特征在于，在基板上至少依次具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、蚀刻阻挡层、源-漏电极及保护所述源-漏电极的保护膜，
所述氧化物半导体层是具有由In、Ga、Zn、Sn及O构成的第一氧化物半导体层和由In、Zn、Sn及O构成的第二氧化物半导体层的层叠体，并且
在所述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量以原子％计为：
In：25％以下且不含0％、
Ga：高于30％且低于50％、
Zn：30.0～65％、以及
Sn：5～30％。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，在所述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量以原子％计为：
In：20％以下且不含0％、
Ga：高于30％且低于50％、
Zn：35～65％、以及
Sn：8～30％。
8.根据权利要求6或7所述的薄膜晶体管，其中，所述第二氧化物半导体层形成于所述栅极绝缘膜之上，并且
所述第一氧化物半导体层形成于所述第二氧化物半导体层与所述蚀刻阻挡层之间。
9.根据权利要求6或7所述的薄膜晶体管，其中，所述第二氧化物半导体层的厚度为0.5nm以上。
10.一种显示装置，其具备权利要求6或7所述的薄膜晶体管。
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