[发明专利]高分子化合物、光致抗蚀剂用树脂组合物、及半导体的制造方法

权利要求书

1.高分子化合物，其至少包含：下述式(a)所示的单体单元a、及含有具有极性基团的脂环式骨架的单体单元b，

[化学式1]

式中，R表示氢原子、卤素原子、或任选具有卤素原子的碳原子数1～6的烷基；R¹、R²相同或不同，表示任选具有取代基的碳原子数1～6的烷基；R³为与环Z¹键合的取代基，表示氧代基、烷基、任选被保护基保护的羟基、任选被保护基保护的羟基烷基、任选被保护基保护的羧基、或氰基；n表示0～3的整数，在n为2以上的情况下，2个以上的R³可以相同，也可以不同，环Z¹表示碳原子数3或4的脂环式烃环。

2.权利要求1所述的高分子化合物，其中，所述单体单元b的极性基团为选自-O-、-C(＝O)-、-C(＝O)-O-、-O-C(＝O)-O-、-C(＝O)-O-C(＝O)-、-C(＝O)-NH-、-S(＝O)-O-、-S(＝O)₂-O-、-OR^a、-C(＝O)-OR^a、及-CN中的至少1种基团，其中R^a为任选具有取代基的烷基。

3.权利要求1所述的高分子化合物，其中，所述单体单元b为选自下述式(b1)～(b6)中的至少1种，

[化学式2]

式中，R表示氢原子、卤素原子、或任选具有卤素原子的碳原子数1～6的烷基；A表示单键或连接基团；X表示非键合、亚甲基、亚乙基、氧原子、或硫原子；Y表示亚甲基、或羰基；R⁴～R⁸相同或不同，表示氢原子、烷基、任选被保护基保护的羟基、任选被保护基保护的羟基烷基、任选被保护基保护的羧基、或氰基；R⁹表示任选被保护基保护的羟基、任选被保护基保护的羟基烷基、任选被保护基保护的羧基、或氰基；环Z²表示碳原子数6～20的脂环式烃环；m表示1～5的整数。

4.权利要求1～3中任一项所述的高分子化合物，其还含有选自下述式(c1)～(c4)中的至少1种单体单元c，

[化学式3]

式中，R表示氢原子、卤素原子、或任选具有卤素原子的碳原子数1～6的烷基；R¹⁰～R¹²相同或不同，表示任选具有取代基的碳原子数1～6的烷基；R¹³、R¹⁴相同或不同，表示氢原子或任选具有取代基的碳原子数1～6的烷基；R¹⁵表示-COOR^d基，所述R^d表示任选具有取代基的叔烃基、四氢呋喃基、四氢吡喃基、或氧杂环庚烷基；p表示1～3的整数；R^c为与环Z³键合的取代基，相同或不同，表示氧代基、烷基、任选被保护基保护的羟基、任选被保护基保护的羟基烷基、或任选被保护基保护的羧基；q表示0～3的整数；环Z³表示碳原子数5～20的脂环式烃环。

5.权利要求1～4中任一项所述的高分子化合物，其中，重均分子量为1000～50000。

6.权利要求1～5中任一项所述的高分子化合物，其中，分子量分布(重均分子量和数均分子量的比：Mw/Mn)为1.0～3.0。

7.光致抗蚀剂用树脂组合物，其至少含有权利要求1～6中任一项所述的高分子化合物、光酸产生剂及有机溶剂。

8.半导体的制造方法，其特征在于，使用权利要求7所述的光致抗蚀剂用树脂组合物形成图案。