[发明专利]具有在晶片水平形成的模制化合物中的金属柱的芯片级发光器件

权利要求书

1.一种制造发光器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成发光结构，发光结构包括设置在N-区和P-区之间的有源区；

形成到N-区的接触件和到P-区的接触件，

形成耦合至到N-区的接触件的第一金属段和耦合至到P-区的接触件的第二金属段；

形成多个金属柱，所述多个金属柱包括：耦合至第一金属段的至少一个第一金属柱，以及耦合至第二金属段的至少一个第二金属柱，以及不电气连接到发光结构的至少一个第三金属柱；

形成占据所述多个金属柱之间的空间的填充物材料，以及

形成多个金属垫，包括耦合至第一金属柱的第一金属垫和耦合至第二金属柱的第二金属垫，第一和第二金属垫被安置成经由第一和第二金属柱提供到N-区和P-区的外部连接。

2.权利要求1的方法，其中发光结构是形成在衬底上的多个发光结构之一。

3.权利要求2的方法，其中所述多个发光结构通过芯片间隔从彼此分离，并且所述方法还包括通过切穿芯片间隔形成各个发光器件。

4.权利要求3的方法，还包括将发光结构从衬底拆离。

5.权利要求2的方法，还包括将发光结构从衬底拆离。

6.权利要求1的方法，其中填充物材料具有与P-区的热膨胀系数没有明显不同的热膨胀系数。

7.权利要求1的方法，其中所述至少一个第一金属柱包括耦合在第一金属垫和第一金属段之间的多个第一金属柱，并且所述至少一个第二金属柱包括耦合在第二金属垫和第二金属段之间的多个第二金属柱。

8.一种发光器件，包括：

发光结构，包括N-区、P-区、设置在N-区和P-区之间的有源区、到N-区的第一接触件和到P-区的第二接触件；

多个金属柱，所述多个金属柱包括耦合至第一接触件的至少一个第一金属柱、耦合至第二接触件的至少一个第二金属柱，以及不电气连接到发光结构的至少一个第三金属柱；

占据所述多个金属柱之间的空间的填充物材料；以及

分别耦合至第一金属柱和第二金属柱，并且经由第一和第二金属柱提供到N-区和P-区的外部耦合的第一金属垫和第二金属垫。

9.权利要求8的发光器件，其中填充物材料具有与P-区的热膨胀系数没有明显不同的热膨胀系数。

10.权利要求8的发光器件，其中所述至少一个第一金属柱包括耦合在第一金属垫和第一接触件之间的多个第一金属柱，并且所述至少一个第二金属柱包括耦合在第二金属垫和第二接触件之间的多个第二金属柱。

11.权利要求8的发光器件，其中发光结构包括多个发光元件，并且发光器件包括互连所述多个发光元件中的至少两个的至少一个金属段。

12.一种晶片，包括：

衬底；

衬底上的多个发光结构，

所述多个发光结构中的每一个包括：

设置在N-区和P-区之间的有源区，

到N-区的第一接触件，

到P-区的第二接触件，

多个金属柱，所述多个金属柱包括耦合至第一接触件的至少一个第一金属柱、耦合至第二接触件的至少一个第二金属柱，以及不电气连接到所述多个发光结构中的任何一个的至少一个第三金属柱，

占据所述多个金属柱之间的空间的填充物材料，和

分别耦合至第一金属柱和第二金属柱，并且经由第一和第二金属柱提供到N-区和P-区的外部耦合的第一金属垫和第二金属垫；以及

互连所述多个发光结构中的至少两个的至少一个金属段。