[发明专利]用于计算具有纳米线的光学堆漫反射的系统及方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

为具有纳米线的光学堆选择光学堆参数；

根据所述光学堆参数，对于多个光学堆配置的每一个计算多个漫反射值集合，每个漫反射值集合包括用于从所述光学堆的各反射角的多个漫反射值；

至少部分地基于所述多个角的所述漫反射值集合的比较来选择所述光学堆配置中之一；以及

根据所选的光学堆配置，形成所述光学堆的层。

2.如权利要求1所述的方法，包括：

对于所述光学堆配置中之一的各光学堆配置，计算用于所述多个反射角的多个镜面反射值。

3.如权利要求1所述的方法，包括：

计算多个镜面反射值，其中每个镜面反射值用于各自的光学堆配置；

将所述镜面反射值与预定镜面反射值比较；以及

基于与所述预定镜面反射值的比较，选择所述光学堆配置中之一。

4.如权利要求2所述的方法，其中，选择所述光学堆配置中之一包括：选择具有比所述预定镜面反射值低的镜面反射值的光学堆配置。

5.如权利要求1所述的方法，包括：

将每个集合的漫反射值与至少一个预定漫反射值比较；以及

至少部分地基于与所述至少一个预定漫反射值的比较，来选择所述光学堆配置中之一。

6.如权利要求5所述的方法，其中，选择所述光学堆配置中之一包括：选择其中每个反射角的漫反射值低于至少一个预定漫反射阈值的光学堆配置。

7.如权利要求1所述的方法，其中，选择所述光学堆配置中之一包括：选择对应于最小漫反射值的光学堆配置。

8.如权利要求1所述方法，包括：

对于每个集合计算各自的总的漫反射值；以及

选择对应于最小的总的漫反射值的光学堆配置。

9.如权利要求8所述的方法，其中，对于每个集合计算所述各自的总的漫反射值包括：对该集合的所述漫反射值求和。

10.如权利要求8所述的方法，其中，计算所述各自的总的漫反射值包括：根据各反射角为所述漫反射分配各自的权重因子。

11.如权利要求1所述的方法，包括：

计算多个各自的漫反射平均值，每个漫反射平均值对应于各自集合的所述漫反射值的平均值；以及

至少部分地基于所述多个漫反射平均值，选择所述光学堆配置。

12.如权利要求1所述的方法，其中，计算所述漫反射值包括：计算所述纳米线的散射截面。

13.如权利要求1所述的方法，其中，计算所述漫反射值包括：对于每个光学堆配置，分别地：

计算所述光学堆内所述纳米线的位置处的入射光的电磁场；以及

计算从所述光学堆内所述纳米线散射的光的传递矩阵。

14.如权利要求13所述的方法，其中，计算所述漫反射值包括：基于所述散射截面以及所述纳米线的所述位置处的入射光的场，来计算从所述纳米线散射的光的量。

15.如权利要求14所述的方法，其中，计算所述入射光的场包括：计算在所述纳米线的所述位置处漫散射光的电磁场。

16.如权利要求1所述的方法，其中，所述多个光学堆参数包括所述光学堆的层数。

17.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述光学堆的层包括：

在基底上形成第一层；以及

在所述第一层上形成第二层，所述纳米线被置于所述第一层或第二层。

18.一种方法，包括：

将输入光学堆参数存储到与处理器耦接的存储器电路中；

在所述处理器中，对于多个光学堆配置，计算多个漫反射值集合，其中每个光学堆具有根据所述光学堆参数的各自配置，每个漫反射值集合包括用于从所述光学堆的表面的各反射角的多个漫反射值，计算所述漫反射集合包括，对于每个配置，分别地：

计算与所述光学堆内纳米线位置对应的光学堆内位置处的入射光的电磁场值；以及

部分地基于所述电磁场值，计算传递矩阵以提供用于从所述光学堆的表面的多个反射角的所述多个漫反射值，

基于所述漫反射值来选择光学堆配置。