[发明专利]光半导体装置的制造方法及光半导体装置

权利要求书

1.一种光半导体装置的制造方法，其中，所述光半导体装置具有在表面形成有镀银层的基板和键合在所述镀银层上的发光二极管，所述制造方法具有以下工序：

膜形成工序，其形成被覆所述镀银层的粘土膜；以及

连接工序，其在所述膜形成工序后，通过引线键合而将所述发光二极管和被所述粘土膜被覆的所述镀银层进行电连接。

2.根据权利要求1所述的光半导体装置的制造方法，其中，

所述膜形成工序在从所述基板的表面侧将用溶剂稀释粘土而得到的粘土稀释液涂布在所述镀银层上后，使所述粘土稀释液干燥，从而形成所述粘土膜。

3.根据权利要求1或2所述的光半导体装置的制造方法，其中，

进一步具有在所述膜形成工序之前，将所述发光二极管键合在所述基板的所述镀银层上的键合工序。

4.根据权利要求1或2所述的光半导体装置的制造方法，其中，

进一步具有在所述膜形成工序与所述连接工序之间，将所述发光二极管键合在所述基板的所述镀银层上的键合工序。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的光半导体装置的制造方法，其中，

所述粘土膜的膜厚为0.01μm～500μm。

6.根据权利要求5所述的光半导体装置的制造方法，其中，

在所述连接工序中，将施加给毛细管的负荷规定为60gf～150gf而使键合引线按压在被所述粘土膜被覆的所述镀银层上。

7.根据权利要求6所述的光半导体装置的制造方法，其中，

在所述连接工序中，使所述毛细管振动而将所述键合引线按压在被所述粘土膜被覆的所述镀银层上。

8.一种光半导体装置，其中，具备：

表面形成有镀银层的基板，

键合在所述镀银层上的发光二极管，

被覆所述镀银层的粘土膜，以及

键合引线，其被引线键合在所述发光二极管和所述镀银层上，具有与所述发光二极管电连接的第1连接部、与所述镀银层电连接的第2连接部、以及从所述第1连接部延伸至所述第2连接部的延伸部；

所述延伸部从所述粘土膜露出。

9.根据权利要求8所述的光半导体装置，其中，

所述第2连接部包含与所述镀银层相接的连接面和位于所述连接面的相反侧的露出面；

所述露出面从所述粘土膜露出。

10.根据权利要求8或9所述的光半导体装置，其中，进一步具备：

配置在所述基板上且围住所述发光二极管的光反射部，以及

填充在由所述光反射部和所述基板隔成的空间中而将所述发光二极管密封的透明密封部；

所述延伸部与所述透明密封部相接。

11.根据权利要求10所述的光半导体装置，其中，

所述第2连接部包含与所述镀银层相接的连接面和位于所述连接面的相反侧的露出面；

所述露出面与所述透明密封部相接。