[发明专利]沉积系统的气体注入组件、包括这种组件的沉积系统和相关方法

权利要求书

1.一种遮挡式注入器，该遮挡式注入器包括：

气体注入口，该气体注入口包括主体、贯穿所述主体延伸的孔以及毗邻所述孔的后壁；

内侧壁，这些内侧壁从所述后壁向着所述遮挡式注入器的气体出口延伸；以及

两个隆起部，所述两个隆起部用于引导气流流过所述遮挡式注入器，所述两个隆起部均从毗邻所述孔的位置向着所述气体出口延伸，所述两个隆起部被设置在所述内侧壁之间，

其中，所述内侧壁从所述后壁向着所述气体出口发散地延伸，

其中，所述两个隆起部从毗邻所述孔的所述位置发散地延伸到所述气体注入口的正面，

其中，所述孔、所述后壁、所述内侧壁和所述两个隆起部关于对称轴对称，并且

其中，所述两个隆起部中的各隆起部居中地设置在所述内侧壁中的邻近的内侧壁和所述对称轴之间。

2.根据权利要求1所述的遮挡式注入器，其中，所述两个隆起部中的各隆起部以相对于所述对称轴成零度(0°)和四十五度(45°)之间的角度从毗邻所述孔的所述位置向着所述气体出口延伸。

3.根据权利要求1所述的遮挡式注入器，其中，所述后壁与所述孔相切。

4.根据权利要求1所述的遮挡式注入器，其中，所述气体注入口由石英构成。

5.根据权利要求1所述的遮挡式注入器，所述遮挡式注入器还包括底座和盖。

6.根据权利要求5所述的遮挡式注入器，其中，所述气体注入口、所述底座和所述盖中的至少两者被形成为整体。

7.一种在基板上形成材料的方法，该方法包括：

使第一前体气体流过遮挡式注入器，该遮挡式注入器包括气体注入口、底座和盖；

引导所述第一前体气体的一部分流过所述遮挡式注入器的中央区域，其中，在所述气体注入口的内侧壁之间形成有所述气体注入口的两个隆起部；以及

使所述第一前体气体流出所述遮挡式注入器并且向着毗邻所述遮挡式注入器设置的基板流动，

其中，所述两个隆起部关于对称轴对称，发散地从毗邻所述气体注入口的位置向着所述盖的气体出口侧延伸，并且

其中，所述两个隆起部中的各隆起部居中地设置在所述内侧壁中的邻近的内侧壁和所述对称轴之间。

8.根据权利要求7所述的方法，所述方法还包括：

使第二前体气体在所述第一前体气体的对面沿着所述盖的主表面流动；以及

使所述第一前体气体和所述第二前体气体发生反应以在所述基板上形成材料。

9.根据权利要求8所述的方法，其中：

使第一前体气体流过遮挡式注入器包括：引导氯化镓穿过所述遮挡式注入器；

使第二前体气体在所述第一前体气体的对面沿着所述盖的主表面流动包括：使氨沿着所述盖的所述主表面流动；并且

使所述第一前体气体和所述第二前体气体发生反应以在所述基板上形成材料包括：在所述基板上外延地生长氮化镓材料。

10.根据权利要求7所述的方法，所述方法还包括：引导所述第一前体气体的所述一部分流过所述遮挡式注入器的所述中央区域，其中，在所述盖的表面上形成有两个附加的隆起部，并且所述两个附加的隆起部从毗邻所述气体注入口的位置向着所述盖的气体出口侧延伸。

11.根据权利要求7所述的方法，所述方法还包括：在使所述第一前体气体流过所述遮挡式注入器之前，将所述第一前体气体加热至五百摄氏度(500℃)以上的温度。