[发明专利]用于硅氧烷污染物去除的材料、方法及设备在审
申请号: | 201380029993.9 | 申请日: | 2013-03-15 |
公开(公告)号: | CN104334249A | 公开(公告)日: | 2015-02-04 |
发明(设计)人: | B·N·霍昂;G·魏那克;K·维斯瓦纳森;A·J·达拉斯 | 申请(专利权)人: | 唐纳森公司 |
主分类号: | B01D53/02 | 分类号: | B01D53/02;B01J20/18 |
代理公司: | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人: | 马莉华;崔佳佳 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 硅氧烷 污染物 去除 材料 方法 设备 | ||
1.一种用于降低气体中的硅氧烷水平的方法,该方法包括:
提供已经用酸洗涤过的一种第一吸附性材料;并且
使一种气体通过该吸附性材料以便降低该气体中的硅氧烷水平。
2.如权利要求1和3-23中任一项所述的方法,其中该第一吸附性材料包含活性炭。
3.如权利要求1-2和4-23中任一项所述的方法,其中该第一吸附性材料选自下组:硅胶、活性氧化铝、沸石、纳米多孔载体、以及其组合。
4.如权利要求1-3和5-23中任一项所述的方法,其中该酸包含一种强酸。
5.如权利要求1-4和6-23中任一项所述的方法,其中该酸包含硝酸。
6.如权利要求1-5和7-23中任一项所述的方法,其中该吸附剂用一种至少5百分比的硝酸水溶液洗涤。
7.如权利要求1-6和8-23中任一项所述的方法,其中该吸附剂用一种至少10百分比的硝酸水溶液洗涤。
8.如权利要求1-7和9-23中任一项所述的方法,其中通过该吸附性材料的气体包含周围空气。
9.如权利要求1-8和10-23中任一项所述的方法,其中通过该吸附性材料的气体随后用于半导体制造。
10.如权利要求1-9和11-13中任一项所述的方法,进一步包括:
提供一种第二吸附性材料;并且
使该气体通过该第二吸附性材料。
11.如权利要求1-10和12-23中任一项所述的方法,其中该第二吸附性材料包含活性炭。
12.如权利要求1-11和13-23中任一项所述的方法,其中该第二吸附性材料选自下组:硅胶、活性氧化铝、沸石、纳米多孔载体、以及其组合。
13.如权利要求1-12和14-23中任一项所述的方法,其中该第二吸附性材料包含一种用酸浸渍的吸附剂。
14.如权利要求1-13和15-23中任一项所述的方法,其中该酸包含一种强酸。
15.如权利要求1-14和16-23中任一项所述的方法,其中该酸包含一种磷酸。
16.如权利要求1-15和17-23中任一项所述的方法,其中该酸包含柠檬酸。
17.如权利要求1-16和18-23中任一项所述的方法,其中使该气体通过该第一吸附性材料并且随后通过该第二吸附性材料。
18.如权利要求1-17和19-23中任一项所述的方法,其中使该气体通过该第二吸附性材料并且随后通过该第一吸附性材料。
19.如权利要求1-18和20-23中任一项所述的方法,进一步包括一种酸性气体去除剂。
20.如权利要求1-19和21-23中任一项所述的方法,其中该酸性气体去除剂包含一种用浸渍液浸渍的吸附剂,该浸渍液选自下组:碘化钾、碳酸钾或氢氧化钠、以及其组合。
21.如权利要求1-20和22-23中任一项所述的方法,其中该酸性气体去除剂包含一种用碘化钾、碳酸钾或氢氧化钠以及其组合浸渍的吸附剂。
22.如权利要求1-21和23中任一项所述的方法,其中该第一吸附剂与酸性气体去除剂的比率是从2:1至1:2。
23.如权利要求1-22中任一项所述的方法,其中该第一吸附剂与酸性气体去除剂的比率是从10:1至1:10。
24.一种用于降低气体中的硅氧烷水平的过滤元件,该过滤元件包括:
一种第一吸附性材料,该第一吸附性材料包含一种酸洗的吸附剂;
一种第二吸附性材料,该第二吸附性材料包含一种酸浸渍的吸附剂。
25.如权利要求24和26-42中任一项所述的过滤元件,其中该第一吸附性材料包含活性炭。
26.如权利要求24-25和27-42中任一项所述的过滤元件,其中该第一吸附性材料包含硅胶。
27.如权利要求24-26和28-42中任一项所述的过滤元件,其中该酸包含一种强酸。
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