[发明专利]发光器件、发光器件包装和光设备

权利要求书

1.一种发光器件，包含：

发光结构，所述发光结构包含第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层；

在所述发光结构下的反射电极；

电极，所述电极布置在所述第一导电半导体层内并包含导电离子植入层，所述电极能被入射光透射穿过；和

与所述电极直接接触的垫部，

其中所述电极包含设置在所述第一导电半导体层中的多个线和以使得所述线相互电连接的方式设置在所述第一导电半导体层中的连接线，

其中所述垫部与所述第一导电半导体层直接接触，

其中所述电极通过植入选自Ti、Al和Si离子中的至少一种材料而形成，

其中所述垫部的宽度大于所述电极的宽度，

其中所述电极的顶面具有光提取图案，其中所述垫部与所述光提取图案直接接触，

其中电流阻挡层通过植入工艺设置在所述第二导电半导体层中。

2.权利要求1的发光器件，其中所述电极包含选自Ti、Al和Si中的至少一种。

3.权利要求1或2的发光器件，其中所述电极允许入射光穿过。

4.权利要求1或2的发光器件，其中所述电极具有1μm～100μm的范围内的线宽。

5.权利要求1或2的发光器件，其中在50nm～100nm的深度范围内形成所述电极。

6.权利要求1或2的发光器件，其中所述电极与所述有源层隔开。

7.权利要求6的发光器件，其中所述电极与所述有源层隔开至少100nm。

8.权利要求1或2的发光器件，其中与电极重叠的所述垫部的面积大于电极的宽度。

9.权利要求1的发光器件，其中所述垫部设置在所述第一导电半导体层上。

10.权利要求1的发光器件，其中所述垫部与所述电极接触。

11.一种发光器件包装，包含：

主体；

在所述主体上的发光器件；以及

电连接到所述发光器件的第一引线电极和第二引线电极，

其中所述发光器件包含：

发光结构，所述发光结构包含第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层；

在所述发光结构下的反射电极；和

电极，所述电极布置在所述第一导电半导体层内并包含导电离子植入层，所述电极能被入射光透射穿过；

其中所述电极包含设置在所述第一导电半导体层中的多个线和以使得所述线相互电连接的方式设置在所述第一导电半导体层中的连接线，

所述发光器件还包含与所述电极直接接触的垫部，

其中所述垫部与所述第一导电半导体层直接接触，

其中所述电极通过植入选自Ti、Al和Si离子中的至少一种材料而形成，

其中所述垫部的宽度大于所述电极的宽度，

其中所述电极的顶面具有光提取图案，其中所述垫部与所述光提取图案直接接触，

其中电流阻挡层通过植入工艺设置在所述第二导电半导体层中。

12.权利要求11的发光器件包装，其中所述电极包含选自Ti、Al和Si中的至少一种。

13.权利要求11或12的发光器件包装，其中所述电极允许入射光穿过。

14.权利要求11或12的发光器件包装，其中所述电极具有1μm～100μm范围内的线宽。

15.权利要求11或12的发光器件包装，其中在50nm～100nm的深度范围内形成所述电极。

16.权利要求15的发光器件包装，其中所述电极与所述有源层隔开至少100nm。

17.权利要求11的发光器件，其中所述垫部设置在所述第一导电半导体层上。