[发明专利]排列式存储器单元有效
申请号: | 201380030235.9 | 申请日: | 2013-05-07 |
公开(公告)号: | CN104350598A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 斯科特·E·西里斯 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L21/8247 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 排列 存储器 单元 | ||
优先权申请
本申请案主张2012年5月11日申请的第13/469,706号美国申请案的优先权益,所述申请案的全文以引用的方式并入本文中。
背景技术
计算机及其它电子系统(例如,数字电视、数码相机及蜂窝式电话)通常具有一或多个存储器装置以存储信息。日益减小存储器装置的尺寸以实现更高密度的存储容量。即使当实现增加的密度时,消费者仍常要求存储器装置还使用较少电力同时维持高速存取。
针对使用离散导电路径(CP)(例如形成于电阻改变存储器(RCM)单元的电触点之间的细丝或丝状连接器)操作的RCM单元,多个电触点之间的多个路径原则上为可行的。所揭示的标的物通过利用具有两个以上电触点(EC)的单元内的多个导电路径的各种组合及排列而在RCM单元或其它类型的基于细丝存储器单元(例如,电阻性随机存取存储器(RRAM)单元)中提供用于幂次定律增加的存储密度的机制。
附图说明
图1为根据实施例的具有存储器阵列(其具有存储器单元)的存储器装置的框图;
图2为根据实施例的具有包含存储器单元(其具有存取组件及存储器元件)的存储器阵列的存储器装置的部分框图;
图3为根据各种实施例的具有耦合到存储器元件的存取组件的存储器单元的示意图;
图4为可配合图1及2的存储器装置使用或可用以形成图3的存储器单元的若干类型的电阻改变存储器(RCM)单元中的一者的简化示意框图;
图5说明根据一实施例与具有两个电触点的存储器单元相关联的若干组合及排列;
图6说明根据一实施例的具有四个电触点的存储器单元中的导电路径的若干组合及排列;
图7说明根据一实施例的具有六个电触点的存储器单元中的导电路径的若干组合及排列;
图8为指示根据一实施例具有六边形密集阵列中的七个电触点的存储器单元中的导电路径的若干组合及排列的平面图;
图9为指示根据一实施例具有正方形阵列中的四个电触点的存储器单元中的导电路径的若干组合及排列的平面图;及
图10为包含存储器装置的系统实施例的框图。
具体实施方式
以下描述包含体现标的物的说明性设备(电路、装置、结构、系统及类似物)及方法(例如,工艺、协议、序列、技术及科技)。在以下描述中,出于解释的目的,阐述许多具体细节以便提供对本发明标的物的各种实施例的理解。然而,在阅读本发明之后,所属领域的一般技术人员将明白,可在无这些具体细节的情况下实践标的物的各种实施例。此外,未详细展示众所周知的设备及方法以免混淆各种实施例的描述。
针对使用离散导电路径(CP)(例如形成于电阻改变存储器(RCM)单元的电触点之间的细丝或丝状连接器)操作的RCM单元,多个电触点之间的多个路径原则上为可行的。所揭示的标的物通过利用具有两个以上电触点(EC)的单元内的多个导电路径的各种组合及排列而在RCM单元或其它类型的基于细丝的存储器单元(例如,电阻性随机存取存储器(RRAM)单元)中提供用于幂次定律增加的存储密度的机制。
现参考图1,其展示呈存储器装置101的形式的设备的框图。存储器装置101包含具有根据一实施例的若干(例如,一或多个)存储器单元100的一或多个存储器阵列102。存储器单元100可连同存取线104(例如,用以传导信号WL0到WLm的字线)及第一数据线106(例如,用以传导信号BL0到BLn的位线)一起布置成行及列。存储器装置101可使用存取线104及第一数据线106传递信息到存储器单元100且可从存储器单元100传递数据。行解码器107及列解码器108解码地址线109上的地址信号A0到AX以确定待存取哪些存储器单元100。
感测电路(例如,读出放大器电路110)操作以依第一数据线106上的信号的形式确定从存储器单元100读取的信息值。读出放大器电路110还可使用第一数据线106上的信号以确定待写入到存储器单元100的信息值。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的