[发明专利]用于可植入医疗设备的高电压单元的晶片级封装以及对应的制造方法

权利要求书

1.一种用于可植入心脏去纤颤器的高电压单元的多芯片模块化晶片级封装，所述封装包括：

高电压(HV)组件芯片，所述高电压组件芯片包括位于其第一侧的第一接触表面以及位于其第二侧的第二接触表面，所述HV芯片的所述第二侧与所述HV芯片的所述第一侧相对；

通过聚合物模复合形成的经重构晶片，其中所述HV芯片与所述封装的其他芯片封在一起，使得每一芯片的第一侧与所述晶片的第一侧共面；以及

耦合到所述HV芯片的所述第二接触表面并位于所述晶片的第一侧上的互连区段。

2.如权利要求1所述的封装，其特征在于，还包括从耦合到所述HV芯片的所述第二接触表面的第一端延伸到形成所述互连区段的第二端的导电聚合物层。

3.如权利要求1或2所述的封装，其特征在于，还包括在所述经重构晶片的第一侧上延伸的重分布层，所述重分布层包括多个路由迹线，所述路由迹线中的第一个耦合到所述HV组件芯片的所述第一接触表面且所述路由迹线中的第二个耦合到所述互连区段。

4.如权利要求1所述的封装，其特征在于，还包括在所述经重构晶片的第一侧上延伸的重分布层，所述重分布层包括多个路由迹线，所述路由迹线中的第一个耦合到所述HV组件芯片的所述第一接触表面且所述路由迹线中的第二个耦合到所述互连区段。

5.如权利要求1所述的封装，其特征在于，进一步包括：

覆盖并耦合到所述HV组件芯片的所述第二接触的导电聚合物层；以及

在所述经重构晶片的第二侧上延伸的重分布层，所述经重构晶片的所述第二侧与其第一侧相对，所述重分布层包括耦合到所述导电聚合物层的路由迹线；以及

其中所述经重构晶片包括从所述晶片的所述第一侧处的第一端延伸到所述晶片的所述第二侧处的第二端的导电聚合物通孔(TPV)，所述TPV的第二端耦合到所述重分布层的导电迹线，且所述HV互连区段包括所述TPV的第一端。

6.如权利要求1所述的封装，其特征在于：

所述经重构晶片还包括界定其第一侧的周界；以及

所述HV互连区段从所述晶片的周界凹进，其中所述HV互连区段包括通孔块。

7.如权利要求1所述的封装，其特征在于，所述互连区段被包括在互连元件中，所述互连元件还包括从所述互连区段延伸到所述经重构晶片的第二侧的导电柱，所述经重构晶片的所述第二侧与其第一侧相对。

8.如权利要求1所述的封装，其特征在于：

所述HV芯片被包括在经重构芯片中，所述经重构芯片还包括：

与所述HV芯片的所述第一侧相对应且共面的第一侧；

与所述HV芯片的所述第二侧相对应的第二侧；

从所述经重构芯片的第一侧处的第一端延伸到所述经重构芯片的第二侧的第二端的导电聚合物通孔(TPV)；以及

在所述经重构芯片的所述第二侧上延伸并将所述HV芯片的所述第二接触表面耦合到所述TPV的所述第二端的路由迹线；并且

所述互连区段包括所述经重构芯片的TPV的第一端。

9.如权利要求1所述的封装，其特征在于，还包括在所述经重构晶片的第二侧上延伸的散热板，所述经重构晶片的所述第二侧与其第一侧相对；并且其中：

所述HV芯片的所述第二侧从所述经重构晶片的所述第二侧凹进；并且

所述经重构晶片包括在其中形成并从所述HV芯片的所述第二侧延伸到所述散热板的热管阵列。

10.如权利要求1所述的封装，其特征在于，还包括在所述经重构晶片的第二侧上延伸的散热板，所述经重构晶片的所述第二侧与其第一侧相对；并且其中：

所述HV芯片的所述第二侧从所述经重构晶片的所述第二侧凹进；并且

所述HV芯片还包括安装在所述HV芯片的所述第二侧上且延伸到所述散热板的各列堆叠金纽扣凸块的阵列。