[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法和电子装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一基板，构造为包括第一层间绝缘膜和第一配线层，该第一配线层具有从该第一层间绝缘膜突出预定量的第一连接电极；以及

第二基板，构造为包括第二层间绝缘膜和第二配线层，该第二配线层具有从该第二层间绝缘膜突出预定量的第二连接电极，其中

该第二连接电极贴合在该第一基板上从而与该第一连接电极接合，并且在该贴合表面上，该第二连接电极与该第一连接电极接合，同时该第一层间绝缘膜的至少一部分和该第二层间绝缘膜的一部分彼此接合。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

该第一基板包括第一半导体层，该第一配线层设置在该第一半导体层之上，该第二基板包括第二半导体层，该第二配线层设置在该第二半导体层之上，并且

当假设E1为该第一半导体层的杨氏模量且ν1为该第一半导体层的泊松比时，E1/(1-ν1²)为E1’，当假设E2为该第二半导体层的杨氏模量且ν2为该第二半导体层的泊松比时，E2/(1-ν2²)为E2’，该第一层间绝缘膜和该第二层间绝缘膜之间的接合强度为γ，彼此相邻的该第一连接电极之间的距离为R1，该第一半导体层的厚度为t_w1，彼此相邻的该第二连接电极之间的距离为R2，并且该第二半导体层的厚度为t_w2的情况下，该第一连接电极从该第一层间绝缘膜的突出量h1和该第二连接电极从该第二层间绝缘膜的突出量h2满足下面的公式(1)和(2)的条件:

[数学公式1]

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

该第一基板包括第一半导体层，该第一配线层设置在该第一半导体层之上，该第二基板包括第二半导体层，该第二配线层设置在该第二半导体层之上，并且

当假设E1为该第一半导体层的杨氏模量且ν1为该第一半导体层的泊松比时，E1/(1-ν1²)为E1’，当假设E2为该第二半导体层的杨氏模量且ν2为该第二半导体层的泊松比时，E2/(1-ν2²)为E2’，该第一层间绝缘膜和该第二层间绝缘膜之间的接合强度为γ，该第一半导体层的厚度为t_w1，并且该第二半导体层的厚度为t_w2的情况下，该第一连接电极从该第一层间绝缘膜的突出量h1和该第二连接电极从该第二层间绝缘膜的突出量h2满足下面公式(3)和(4)的条件:

[数学公式2]

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

该第一基板包括第一半导体层，该第一配线层提供在该第一半导体层之上，该第二基板包括第二半导体层，该第二配线层提供在该第二半导体层之上，并且

当假设E1为该第一半导体层的杨氏模量且ν1为该第一半导体层的泊松比时，E1/(1-ν1²)为E1’，当假设E2为该第二半导体层的杨氏模量且ν2为该第二半导体层的泊松比时，E2/(1-ν2²)为E2’，该第一层间绝缘膜和该第二层间绝缘膜之间的接合强度为γ，彼此相邻的该第一连接电极之间的距离为R1，并且彼此相邻的该第二连接电极之间的距离为R2的情况下，该第一连接电极从该第一层间绝缘膜的突出量h1和该第二连接电极从该第二层间绝缘膜的突出量h2满足下面公式(5)和(6)的条件:

[数学公式3]