[发明专利]用于将纯化多相二氧化碳输送至处理工具的系统有效
申请号: | 201380031446.4 | 申请日: | 2013-04-15 |
公开(公告)号: | CN104380438B | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
发明(设计)人: | S.班纳吉;W.R.格里斯蒂 | 申请(专利权)人: | 普莱克斯技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302;H01L21/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 谭佐晞;傅永霄 |
地址: | 美国康*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 纯化 多相 二氧化碳 输送 处理 工具 系统 | ||
1.一种用于输送不同相的二氧化碳以产生用于从基体表面去除污染物的定制的清洁工序的方法,所述方法包括以下步骤:
将纯气相二氧化碳引入以将室加压至低于饱和蒸气压力的第一压力;
去除所述纯气相,并且随后引入处于超临界相的二氧化碳将所述室的压力从所述第一压力增加至高于所述第一压力的第二压力;
将处于所述第二压力的溶剂流体引入包含所述基体的室中,所述溶剂流体包括混有助溶剂处于超临界相的二氧化碳;
将污染物从所述基体表面传递至所述超临界二氧化碳相中以形成至少部分消耗的超临界相的二氧化碳;
从所述室去除所述至少部分消耗的超临界二氧化碳相,并且同时将处于所述超临界相的没有助溶剂的新鲜的二氧化碳引入所述室中,以便稀释所述消耗的超临界二氧化碳并且基本阻止所述污染物沉淀在所述基体表面上;
随后将处于液体相的二氧化碳引入室中;并且
使所述二氧化碳液体相在所述基体表面上流动以冲刷并冲洗所述基体表面,并且从而去除所述污染物和残留地留在所述基体表面上的任何助溶剂。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述引入纯气相二氧化碳的步骤使用循环脉动清洗来执行,其中空气利用所述纯气相二氧化碳来转移。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述循环脉动清洗包括多个脉动清洗,其中每个脉动清洗不断增加所述室的压力。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述转移的空气被排出。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,用于取得所述第一压力的速率大于用于取得所述第二压力的速率。
6.一种用于纯化并输送多相二氧化碳至下游处理室的供应系统,所述供应系统包括:
定位在纯化单元和所述室之间第一累积器,所述第一累积器包括饱和液体相的二氧化碳和饱和蒸气相的二氧化碳;
定位在所述纯化单元和所述室之间的第二累积器,所述第二累积器包括超临界相二氧化碳;
定位在所述第一和第二累积器上游的纯化单元,所述纯化单元从包含粗制二氧化碳的集液罐产生纯化的二氧化碳;以及
定位在所述第一和第二累积器出口的流网络,并且所述流网络具有第一支路,第二支路,第三支路,第一控制阀,第二控制阀以及第三控制阀。
7.根据权利要求6所述的供应系统,其特征在于,每一个所述累积器都包括加热器以实现设置点压力。
8.根据权利要求7所述的供应系统,其特征在于,所述第一累积器具有保持在21℃-30℃之间的温度,并且所述第二累积器具有大于31℃的温度。
9.根据权利要求6所述的供应系统,其特征在于,所述流网络被配置成输送液体,蒸气和超临界相的二氧化碳至两个或更多室。
10.根据权利要求6所述的供应系统,其特征在于,所述第二累积器是风箱室。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造