[发明专利]对外部回路温度进行控制的由合成气合成烃的方法有效
| 申请号： | 201380032118.6 | 申请日： | 2013-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN104661719B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | J-P·埃罗;J-C·维吉耶;S·布歇;C·德拉托雷;E·米希农 | 申请（专利权）人： | IFP新能源公司;恩尼有限公司 |
| 主分类号： | B01D17/00 | 分类号： | B01D17/00;B01D21/00;B01J8/00;B01J23/75;C10G2/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 孟慧岚,林森 |
| 地址： | 法国吕埃*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外部 回路 温度 进行 控制 合成气 合成 方法 | ||
1.用于从包含合成气的进料合成烃的方法，其中含有钴的固体催化剂用于三相反应区段，其如此运行以致通过气相从所述反应区段底部到顶部的移动，使所述催化剂保持悬浮在液相中，所述方法包括用于分离蜡的外部回路，其特征在于：
1)利用如下计算方法确定所述用于分离蜡的外部回路中的理论比例PH2O∶PH2：
理论PH2O∶PH2＝Cv/(R1-Rft×Cv)
其中，Cv＝(CO入口-CO脱气)/CO入口
R1＝H2入口/CO入口
Rft＝(H2入口-H2脱气)/(CO入口-CO脱气)；
2)如果步骤1)中确定的所述理论比例PH2O∶PH2具有R阈值或更高的值，则降低所述用于分离蜡的外部回路的脱气装置中的温度；
3)重复步骤1)～2)，直至所述理论比例PH2O∶PH2具有严格小于R阈值的值，其中，R阈值在0.1～1.1范围内。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，R阈值等于1.1。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，R阈值等于0.9。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，R阈值等于0.7。
5.根据上述权利要求之一所述的方法，其中，通过降低所述脱气装置中的温度进行步骤2)，如此使得所述反应区段和所述脱气装置之间的温差Trs-T脱气在0℃～+30℃范围内。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述反应区段和所述脱气装置之间的温差Trs-T脱气在+4℃～+15℃范围内。
7.根据权利要求1～6之一所述的方法，其中，步骤2)的温度降低通过热交换器实现。
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