[发明专利]光源一体型光传感器有效
申请号: | 201380032199.X | 申请日: | 2013-06-20 |
公开(公告)号: | CN104396026B | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | 真崎伸一;井上修二 | 申请(专利权)人: | 青井电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/12 | 分类号: | H01L31/12 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人: | 张敬强,严星铁 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光源 体型 传感器 | ||
技术领域
本发明涉及光源一体型光传感器。
背景技术
已知有利用透明树脂覆盖设在基板上的发光芯片及受光芯片,在发光芯片与受光芯片之间的透明树脂设置槽,在该槽填充有遮光树脂的光源一体型光传感器(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开20的-340727号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在现有技术中,由于发光芯片产生的热的影响,会有受光芯片上的透明树脂的表面的平坦形状受损而变形、或者变质或变色的可能。受光芯片上的透明树脂的表面的变形或变色会导致受光灵敏度度的降低等受光特性的劣化。
用于解决课题的方法
本发明第一方案的光源一体型光传感器具备:受光元件,设置在基板上的规定区域,且被第一透光树脂密封;发光元件,设置在基板上的与受光元件不同的区域,且被第二透光树脂密封;第一遮光部,覆盖第一透光树脂的周围;第二遮光部,覆盖第二透光树脂的周围;空间,设置在第一遮光部及第二遮光部之间;第一遮光散热构件,覆盖第一透光树脂的上面,在受光元件上具有开口部;以及第二遮光散热构件,覆盖第二透光树脂的上面,在发光元件上具有开口部。
根据本发明的第一方案,优选为在第一方案的光源一体型光传感器中,第一遮光散热构件及第二遮光散热构件由层叠有有机材料层及金属层的平面构件构成。
根据本发明的第三方案,优选为在第二方案的光源一体型光传感器中,第一遮光散热构件及第二遮光散热构件的有机材料层在上部露出。
本发明第四方案的光源一体型光传感器具备:受光部,设置在基板上的规定区域;发光部,设置在基板上的与受光部不同的区域;第一透光构件,在受光部上以覆盖该受光部的方式设置;第二透光构件,在发光部上以覆盖该发光部的方式设置;遮光构件,设置在第一透光构件与第二透光构件之间;空间,设置在第一透光构件与第二透光构件之间;以及散热构件,与第一透光构件、第二透光构件及遮光构件分别相接。
根据本发明的第五方案,优选为在第四方案的光源一体型光传感器中,散热构件由平面构件构成,该平面构件在与发光部及受光部对应的位置具有开口,从上方与第一透光构件、第二透光构件及遮光构件形成的面相接。
根据本发明的第六方案,优选为在第四或第五方案的光源一体型光感测器中,还具备替代遮光构件或沿着遮光构件分别相接于基板与散热构件的热传导构件。
根据本发明的第七方案,优选为在第六方案的光源一体型光传感器中,热传导构件相接于设在基板的贯通孔。
根据本发明的第八方案,优选为在第四方案的光源一体型光传感器中,散热构件由包围基板周围且具有热传导性的第二遮光构件构成。
根据本发明的第九方案,优选为在第八方案的光源一体型光传感器中,散热构件还包含平面构件,该平面构件在与发光部及受光部对应的位置具有开口,从上方相接于第一透光构件、第二透光构件及第二遮光构件形成的面。
根据本发明的第十方案,优选为在第九方案的光源一体型光传感器中,还具备分别相接于基板与平面构件的热传导构件。
根据本发明的第十一方案,优选为在第十方案的光源一体型光传感器中,热传导构件相接于设在基板的贯通孔。
发明效果
本发明的光源一体型光传感器,可抑制由来自发光部的热所引起的特性劣化。
附图说明
图1是第一实施方式的光源一体型光传感器的图,图l(a)为俯视图,图l(b)为剖视图。
图2(a)、图2(b)、图2(c)、图2(d)是对光源一体型光传感器的制造方法进行说明的图。
图3是变形例一的光源一体型光传感器的剖视图。
图4是变形例二的光源一体型光传感器的剖视图。
图5是变形例三的光源一体型光传感器的剖视图。
图6是变形例四的光源一体型光传感器的剖视图。
图7是第二实施方式的光源一体型光传感器的图,图7(a)为俯视图,图7(b)为剖视图。
图8(a)是切割加工后的俯视图,图8(b)是剖视图。
图9(a)是在槽填充有不透明树脂的图,图9(b)是通过空间使不透明树脂分离后的图。
图10是说明传感器的切断及分片化的图。
图11是第三实施方式的光源一体型光传感器的剖视图。
具体实施方式
以下,参照附图对用以实施本发明的方式进行说明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的