[发明专利]低温下立方和六方InN及其与AlN的合金的等离子体辅助原子层外延有效

申请号：	201380032385.3	申请日：	2013-06-13
公开（公告）号：	CN104471676B	公开（公告）日：	2017-09-29
发明（设计）人：	倪瑞·尼泊尔;查尔斯·R·埃迪;纳迪姆拉·A·马哈迪克;赛义德·B·卡德里;迈克尔·J·梅尔	申请（专利权）人：	美国海军部政府代表
主分类号：	H01L21/20	分类号：	H01L21/20;H01L21/205
代理公司：	北京路浩知识产权代理有限公司11002	代理人：	谢顺星,刘成春
地址：	美国***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	低温立方 inn 及其 aln 合金等离子体辅助原子外延
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【权利要求书】：

1.生长氮化铟(InN)材料的方法，包括在低于300℃的温度下使用脉冲生长方法生长六方和/或立方InN或Al_xIn_(1-x)N，其中所述脉冲生长方法的特征在于等离子体辅助原子层外延，其涉及(1)氮前体和(2)铟前体或铝前体的交替脉冲以及吹扫以除去脉冲之间未反应的前体，其中所述生长方法包括所述铟前体的至少一个脉冲。

2.如权利要求1所述的方法，使用N₂等离子体作为氮前体。

3.如权利要求1所述的方法，使用三甲基铟作为所述铟前体。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述六方和/或立方InN由均相的六方或立方InN组成。

5.如权利要求1所述的方法，其中在生长期间特意使所述温度变化，以控制所述六方或立方InN的导电性。

6.如权利要求1所述的方法，还包括用原子氢、氮、氢和氮的混合物和/或氨等离子体进行原位表面处理。

7.如权利要求1所述的方法，还包括使吹扫时间随泵速变化，从而控制碳杂质的形成。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述温度低于200℃。

9.如权利要求8所述的方法，使用N₂等离子体作为氮前体。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述六方和/或立方InN由均相的六方或立方InN组成。

11.如权利要求8所述的方法，其中在生长期间特意使所述温度变化，以控制所述六方和/或立方InN的导电性。

12.如权利要求8所述的方法，还包括用原子氢、氮、氢和氮的混合物和/或氨等离子体进行原位表面处理。

13.如权利要求8所述的方法，还包括使吹扫时间随泵速变化，从而控制碳杂质的形成。