[发明专利]用于对纹理化单晶硅晶片上的角锥进行光学测量的方法

权利要求书

1.一种用于对表面纹理化的单晶硅晶片上的角锥（2）进行光学测量的方法，使用至少一个光源（4）和至少一个光接收器（5、8），其特征在于，所述角锥（2）的边缘中的一个直接指向所述光源（4），所述光源（4）的光（3）垂直于这四个角锥边缘中的一个，且出于确定所述角锥（2）的几何特性的目的，借助于由在所述角锥（2）处的衍射产生的衍射图收集和评估在所述角锥（2）处衍射的光（7），所述角锥（2）的直接指向所述光源（4）的边缘及与其相对的另一个边缘落在参考平面上，所述至少一个光源（4）的光轴和/或所述至少一个光接收器（5、8）的光轴相对于所述参考平面角向地偏离至多10°。

2.根据权利要求1所述的用于对表面纹理化的单晶硅晶片上的角锥（2）进行光学测量的方法，其特征在于，通过所述光源（4）发出的光的测量点照明晶片（1）的表面，光接收器（8）收集在所述表面处向前散射的光（9），并且所述表面通过角锥（2）的覆盖程度根据所检测到的光的量确定。

3.根据权利要求1或2所述的用于对表面纹理化的单晶硅晶片上的角锥（2）进行光学测量的方法，其特征在于，通过所述光源（4）发出的所述光的测量点照明所述角锥（2）的边缘中的一个，并且通过所述光接收器（5）角向解析地收集在所述边缘处向后衍射的所述光（7）。

4.根据权利要求1所述的用于对表面纹理化的单晶硅晶片上的角锥（2）进行光学测量的方法，其特征在于，所述至少一个光源（4）的光轴和所述至少一个光接收器（5、8）的光轴与所述晶片的表面的表面法线位于一个平面中。

5.根据权利要求1所述的用于对表面纹理化的单晶硅晶片上的角锥（2）进行光学测量的方法，其特征在于，所述至少一个光源的光轴和/或所述至少一个光接收器（5、8）的光轴基本上位于所述参考平面中。

6.根据权利要求1所述的用于对表面纹理化的单晶硅晶片上的角锥（2）进行光学测量的方法，其特征在于，所述至少一个光源（4）的光轴和/或所述至少一个光接收器（5、8）的光轴与所述晶片的表面之间的角度不小于在所述角锥的边缘与所述晶片的表面之间的角度。

7.根据权利要求1所述的用于对表面纹理化的单晶硅晶片上的角锥（2）进行光学测量的方法，其特征在于，所述晶片（1）的表面由所述至少一个光源（4）和所述至少一个光接收器（5、8）越过，并且在整个所述晶片的表面上发生光收集过程。

8.根据权利要求1所述的用于对表面纹理化的单晶硅晶片上的角锥（2）进行光学测量的方法，其特征在于，使用至少一个窄带光源（4）。

9.根据权利要求8所述的用于对表面纹理化的单晶硅晶片上的角锥（2）进行光学测量的方法，其特征在于，至少使用激光、发光二极管或超发光二极管。

10.根据权利要求1所述的用于对表面纹理化的单晶硅晶片上的角锥（2）进行光学测量的方法，其特征在于，使用宽带光源（4）。

11.根据权利要求10所述的用于对表面纹理化的单晶硅晶片上的角锥（2）进行光学测量的方法，其特征在于，所述宽带光源为卤素光源，所述卤素光源具有窄带光学带通滤波器或具有频谱光分离器。

12.根据权利要求11所述的用于对表面纹理化的单晶硅晶片上的角锥（2）进行光学测量的方法，其特征在于，所述频谱光分离器为光谱仪。

13.根据权利要求1所述的用于对表面纹理化的单晶硅晶片上的角锥（2）进行光学测量的方法，其特征在于，数码相机被用作所述光接收器（5、8）。