[发明专利]基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及基板处理装置，更具体地，涉及通过利用上天线和侧天线提供均匀等离子体密度的基板处理装置。

背景技术

半导体设备包含硅基板上的多个层。所述多个层通过沉积处理沉积于该基板上。该沉积处理有许多重大问题，所述问题对于评估沉积层以及选择沉积方式来说是重要的。

第一个重要问题就是沉积层的质量。这代表已沉积层的成份、污染程度、缺陷密度以及机械和电气属性。已沉积层的成份可根据沉积条件而改变，这对于获得指定成份来说非常重要。

第二个重大问题就是贯穿晶圆的均匀厚度。尤其是，沉积在具有非平面形状(其中形成阶梯部分)的图案上的层的厚度非常重要。该已沉积层是否具有均匀的厚度可通过阶梯覆盖来决定，该阶梯覆盖定义为通过将在该阶梯部分上所沉积的层的最小厚度除以在图案的顶表面上所沉积的层的厚度而获得的值。

有关沉积的其它问题为填充空间。这包含间隙填充，其中包含氧化物层的绝缘层填入金属线之间。该间隙提供所述金属线之间的物理与电气隔离。

在上述问题中，均匀性为与该沉积处理有关最重要的问题。不均匀层会导致在金属线上的高电阻，从而增加机械受损的可能性。

发明内容

技术问题

本发明提供一种基板处理装置，其可改善在基板的整个表面上的处理均匀性。

本发明还提供一种可改善等离子体的密度的基板处理装置。

参考以下详细说明以及附图将可了解本发明的其它目的。

技术方案

本发明的实施方式提供一种基板处理装置，该基板处理装置包括：腔室，其具有开放的上侧，所述腔室在所述腔室的一侧内具有允许基板进出的通道；腔室盖，其覆盖所述腔室的所述开放的上侧以提供在其中执行针对所述基板的处理的内部空间，所述腔室盖具有穿过所述腔室盖的顶壁的气体供应孔；上天线，其设置在所述腔室盖的上中央部分上，以在所述内部空间的中央部分内生成电场，所述上天线通过利用供应到所述内部空间中的源气体来生成等离子体；侧天线，其设置为围绕所述腔室盖的侧部，以在所述内部空间的边缘部分内生成电场，所述侧天线通过利用供应到所述内部空间中的所述源气体来生成等离子体；以及气体供应管，其连接至所述气体供应孔，以将所述源气体供应到所述内部空间中，其中，所述气体供应孔可以设置在所述上天线外侧。

在一些实施方式中，所述基板处理装置还可以包括环形挡板，所述挡板紧密地附接至所述腔室盖的顶表面，以将所述源气体朝向所述基板扩散，其中，所述挡板可以包括：开口，其被限定在所述挡板的中央以与所述上天线相对应；通道，其从所述挡板的一个表面凹陷以与所述顶表面相对；以及多个喷气孔，其与所述通道连通以喷出所述源气体。

在其它实施方式中，所述通道可以包括：内部通道，其沿着所述开口的周边限定，以与所述基板的中央部分相对应；以及连接通道，其将所述气体供应孔连接至所述内部通道，其中，所述多个喷气孔可以被限定在所述挡板的内周表面内。

在其它实施方式中，所述通道可以包括：内部通道，其沿着所述开口的周边限定，以与所述基板的中央部分相对应；以及连接通道，其将所述气体供应孔连接至所述内部通道，其中，所述多个喷气孔可以在所述内部通道中彼此间隔开。

在其它实施方式中，所述多个喷气孔可以随着所述多个喷气孔远离所述气体供应孔而逐渐增加分布密度。

在其它实施方式中，所述多个喷气孔可以随着所述多个喷气孔远离所述气体供应孔而逐渐增加直径。

在其它实施方式中，所述通道可以包括：内部通道，其沿着所述开口的周边限定，以与所述基板的中央部分相对应；外部通道，其被限定在所述内部通道外侧；以及多个连接通道，其将所述内部通道连接至所述外部通道，其中，所述气体供应孔可以被限定在所述外部通道内，并且所述多个喷气孔可以被分别限定在所述内部通道和所述外部通道内。

在其它实施方式中，所述连接通道可以随着所述连接通道远离所述气体供应孔而逐渐增加宽度。

在其它实施方式中，限定在所述内部通道内的所述多个喷气孔的分布密度可以大于限定在所述外部通道内的所述多个喷气孔的分布密度。

在其它实施方式中，限定在所述内部通道内的所述多个喷气孔的直径可以大于限定在所述外部通道内的所述多个喷气孔的直径。