[发明专利]薄层太阳能电池的层系统

权利要求书

1.薄层太阳能电池(100)的层系统(1)，包括：

－吸收层(4)，其含有硫族化合物半导体，和

－缓冲层(5)，其布置在吸收层(4)上并且含有富含卤素的Zn_xIn_1-xS_y，其中0.01≤x≤0.9和1≤y≤2，

其中缓冲层(5)由与吸收层(4)接界的具有卤素材料量份额A₁的第一层区域(5.1)和与第一层区域(5.1)接界的具有卤素材料量份额A₂的第二层区域(5.2)组成，并且比例A₁/A₂≥2，并且第一层区域(5.1)的层厚(d₁)小于等于缓冲层(5)的层厚(d)的50％。

2.按照权利要求1的层系统(1)，其中第一层区域(5.1)的层厚(d1)小于等于缓冲层(5)的层厚(d)的30％。

3.按照权利要求2的层系统(1)，其中第一层区域(5.1)的层厚(d1)小于等于缓冲层(5)的层厚(d)的20％。

4.按照权利要求1至3之一的层系统(1)，其中比例A₁/A₂为2至1000。

5.按照权利要求4的层系统(1)，其中所述比例A₁/A₂为10至100。

6.根据权利要求1至3之一的层系统(1)，其中第一层区域(5.1)中面覆盖的卤素量为1·10¹³原子/cm²至1·10¹⁷原子/cm²。

7.根据权利要求6的层系统(1)，其中第一层区域(5.1)中面覆盖的卤素量为2·10¹⁴原子/cm²至2·10¹⁶原子/cm²。

8.根据权利要求1至3之一的层系统(1)，其中y为x+(l-x)×1.3至x+(1-x)×1.5。

9.根据权利要求1至3之一的层系统(1)，其中缓冲层(5)中的卤素材料量份额具有梯度，该梯度从朝向吸收层(4)的表面向缓冲层(5)内部下降。

10.根据权利要求1至3之一的层系统(1)，其中缓冲层(5)的层厚(d)为5nm至150nm。

11.根据权利要求10的层系统(1)，其中缓冲层(5)的层厚(d)为15nm至50nm。

12.根据权利要求1至3之一的层系统(1)，其中卤素是氯、溴或碘。

13.根据权利要求1至3之一的层系统(1)，其中硫族化合物半导体包含Cu(In,Ga，Al)(S,Se)₂。

14.根据权利要求13的层系统(1)，其中硫族化合物半导体还包含CuInSe₂、CuInS₂、Cu(In,Ga)Se₂或Cu(In,Ga)(S,Se)₂或Cu₂ZnSn(S,Se)₄。

15.薄层太阳能电池(100)，包括：

－衬底(2)，

－布置在衬底(2)上的背电极(3)，

－布置在背电极(3)上的根据权利要求1至14之一的层系统(1)，和

－布置在层系统(1)上的前电极(7)。