[发明专利]固体摄像装置

权利要求书

1.一种固体摄像装置，具备：

半导体衬底；

多个像素，在所述半导体衬底上被配置成矩阵状；

像素电极，被形成在所述像素内，且与相邻的所述像素电隔离；

光电转换膜，被形成在所述像素电极上，通过光电转换，将光转换为信号电荷；

电荷积蓄区域，被形成在所述像素内且与所述像素电极电连接，通过所述光电转换膜而被光电转换后的所述信号电荷被积蓄在该电荷积蓄区域；

复位晶体管，对所述电荷积蓄区域进行复位；

放大晶体管，被形成在所述像素内，对被积蓄在该像素的所述电荷积蓄区域的所述信号电荷进行放大；

第一接触插头，由半导体材料构成；

布线，在所述第一接触插头以及所述电荷积蓄区域的上方，由半导体材料构成；以及

元件隔离区域，与所述电荷积蓄区域相邻，将所述复位晶体管和所述放大晶体管隔离；

所述第一接触插头与所述电荷积蓄区域电连接，

所述第一接触插头与所述放大晶体管的栅极电极经由所述布线电连接，

所述布线被配置成，在平面视时覆盖所述电荷积蓄区域的至少一部分和所述元件隔离区域的一部分，

所述布线和所述第一接触插头的连接面距所述半导体衬底表面的高度，比所述放大晶体管的栅极电极的底面距所述半导体衬底表面的高度高，所述布线和所述第一接触插头的连接面距所述半导体衬底表面的高度，比所述放大晶体管的栅极电极的上表面距所述半导体衬底表面的高度低。

2.如权利要求1所述的固体摄像装置，

所述固体摄像装置还具备：

所述复位晶体管的栅极电极；以及

覆盖所述复位晶体管的栅极电极的侧面的侧壁层，

所述侧壁层被配置成，在平面视时与所述第一接触插头不重叠。

3.如权利要求1所述的固体摄像装置，

所述固体摄像装置还具备在所述布线的上面与所述布线电连接的第二接触插头，

在剖面视时，所述第二接触插头没有配置在所述第一接触插头的正上方。

4.如权利要求1所述的固体摄像装置，

所述第一接触插头以及所述布线包括多晶硅。

5.如权利要求4所述的固体摄像装置，

所述第一接触插头与所述布线为相同的导电型，

所述多晶硅的杂质浓度为10¹⁹至10²¹个/cm³。

6.如权利要求1所述的固体摄像装置，

所述电荷积蓄区域与所述第一接触插头为相同的导电型，

所述第一接触插头的杂质浓度比所述电荷积蓄区域的杂质浓度高。

7.如权利要求6所述的固体摄像装置，

所述第一接触插头的杂质浓度为10¹⁹至10²¹个/cm³，

所述电荷积蓄区域的杂质浓度为10¹⁶至10¹⁸个/cm³。

8.如权利要求3所述的固体摄像装置，

所述第二接触插头由金属材料构成。

9.如权利要求1所述的固体摄像装置，

所述电荷积蓄区域与所述第一接触插头为第一导电型，

所述固体摄像装置还具备第二导电型的半导体层，该第二导电型的半导体层被形成为与所述电荷积蓄区域的上部相接，

所述第二导电型的半导体层被形成为，在平面视时围着所述第一接触插头。

10.如权利要求2所述的固体摄像装置，

所述放大晶体管的栅极氧化膜的膜厚与所述复位晶体管的栅极氧化膜的膜厚的厚度相同。