[发明专利]电子设备用玻璃盖片的玻璃基板和电子设备用玻璃盖片、以及电子设备用玻璃盖片的玻璃基板的制造方法有效
申请号: | 201380033281.4 | 申请日: | 2013-08-23 |
公开(公告)号: | CN104379533B | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | 高野彻朗 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | C03C21/00 | 分类号: | C03C21/00;G09F9/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 丁香兰;庞东成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 备用 玻璃 以及 制造 方法 | ||
1.一种电子设备用玻璃盖片的玻璃基板,其为在电子设备用玻璃盖片中使用的玻璃基板,其特征在于,
所述玻璃基板的玻璃组成为:作为主要成分,含有
SiO2 50重量%~70重量%、
Al2O3 5重量%~20重量%、
Na2O 6重量%~20重量%、
K2O 0重量%~10重量%、
MgO 0重量%~10重量%、
CaO 0重量%~10重量%,
所述玻璃基板具有一对主表面、和与该一对主表面相邻的端面,在对截面进行观察时,该端面为具有顶部的形状,
所述玻璃基板在表层具有通过实施基于离子交换的化学强化而产生的压缩应力层,所述主表面的最大压缩应力值为600MPa以上,且压缩应力层的深度为60μm以下,
将所述顶部的顶角设为θ[度]、将所述主表面的最大压缩应力值设为CS[MPa]、将所述主表面的压缩应力层的深度设为d[μm]时,满足
600MPa≤-3.5×{(d/sin(θ/2))-d}+CS
的关系。
2.如权利要求1所述的电子设备用玻璃盖片的玻璃基板,其特征在于,所述顶部的顶角θ为30度以上135度以下。
3.如权利要求1或2所述的电子设备用玻璃盖片的玻璃基板,其特征在于,在对截面进行观察时,所述玻璃基板的端面具有如下形状:朝向基板内部画出近似圆弧的2个凹面在基板的厚度方向的中央附近交叉;在所述玻璃基板的端面中的厚度方向中心部、和端面中的厚度方向主表面侧分别配置有所述顶部。
4.如权利要求1或2所述的电子设备用玻璃盖片的玻璃基板,其特征在于,所述玻璃基板的端面中的厚度方向中心部弯曲,在端面中的厚度方向主表面侧配置有所述顶部。
5.如权利要求1~4中任一项所述的电子设备用玻璃盖片的玻璃基板,其特征在于,所述玻璃基板由铝硅酸盐玻璃构成。
6.如权利要求1~5中任一项所述的电子设备用玻璃盖片的玻璃基板,其特征在于,所述玻璃基板的厚度为0.1mm~1.5mm的范围。
7.一种电子设备用玻璃盖片,其特征在于,其具备权利要求1~6中任一项所述的玻璃基板。
8.一种电子设备用玻璃盖片的玻璃基板的制造方法,其为在电子设备用玻璃盖片中使用的玻璃基板的制造方法,其特征在于,
所述玻璃基板的玻璃组成为:作为主要成分,含有
SiO2 50重量%~70重量%、
Al2O3 5重量%~20重量%、
Na2O 6重量%~20重量%、
K2O 0重量%~10重量%、
MgO 0重量%~10重量%、
CaO 0重量%~10重量%,
该制造方法包括以下工序:外形加工工序,其中,从平板玻璃切下特定的外形形状并对所述玻璃基板的外形进行加工;和化学强化工序,其中,对进行了所述外形加工的玻璃基板实施基于离子交换的化学强化处理,
所述外形加工工序中,形成玻璃基板,该玻璃基板具有一对主表面、和与该一对主表面相邻的端面,在对截面进行观察时,该端面为具有顶部的形状,
所述化学强化工序中,按照如下方式实施化学强化处理:将所述顶部的顶角设为θ[度]、将通过实施化学强化所产生的所述主表面的最大压缩应力值设为CS[MPa]、将通过实施化学强化所形成的所述主表面的压缩应力层的深度设为d[μm]时,满足
600MPa≤-3.5×{(d/sin(θ/2))-d}+CS
的关系。
9.如权利要求8所述的电子设备用玻璃盖片的玻璃基板的制造方法,其特征在于,所述外形加工工序包括以下工序:通过机械加工从平板玻璃切下特定的外形形状的工序;和通过湿式蚀刻对所切下的玻璃基板的端面形状进行加工的工序。
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