[发明专利]用于电子系统的高电导率高频通孔

权利要求书

1.硅裸晶中将第一金属层连接到第二金属层的穿透硅通孔，所述穿透硅通孔包括：

经过所述硅裸晶的至少一部分的通道；

贯穿所述通孔的第一金属导电层，所述第一金属导电层具有外表面和第一电导率；以及

覆盖所述第一金属导电层的所述外表面的第二金属导电层，所述第二金属导电层具有比所述第一电导率要高的第二电导率。

2.如权利要求1所述的通孔，还包括包围所述通孔中的所述第一金属导电层和所述第二金属导电层的金属阻挡层。

3.如权利要求1所述的通孔，还包括包围所述第二金属导电层的电介质层，以将第一和第二导电通孔与所述硅裸晶隔离。

4.如权利要求1所述的通孔，其中，所述第一金属导电层具有内表面，所述通孔还包括覆盖所述内表面的第三金属导电层，所述第三金属导电层具有所述第二电导率。

5.如权利要求4所述的通孔，还包括电介质区，其中所述第一金属导电层的所述内表面包围所述电介质区。

6.如权利要求5所述的通孔，其中，所述通孔是圆筒形的，以及所述第一金属导电层是圆筒形的，并且其中所述通孔的中心填充有电介质。

7.如权利要求5所述的通孔，其中，所述通孔是圆筒形的，以及所述第一金属导电层是圆筒形的，并且其中所述通孔的中心填充有碳纳米管。

8.如权利要求5所述的通孔，其中，所述通孔是圆筒形的，以及所述第一金属导电层是圆筒形的，并且所述通孔的中心填充有具有所述第一电导率的多个圆筒管。

9.如权利要求8所述的通孔，其中，所述多个圆筒管的管每个在外表面上具有较高电导率表层。

10.如权利要求8所述的通孔，其中，所述多个圆筒管的管每个在内表面上具有较高电导率表层。

11.如权利要求8所述的通孔，其中，所述多个圆筒管的管是同心的，并且每个通过多个同心电介质层之一相互隔离。

12.如权利要求1所述的通孔，其中，所述第一金属导电层是铜，以及所述第二金属导电层是银。

13.如权利要求1所述的通孔，其中，所述第一金属导电层是铜，以及所述第二金属导电层是石墨烯。

14.一种用于制作在高频具有增强电导率的通孔的方法，包括：

创建经过硅衬底的通孔；

在所述通孔的表面上沉积电介质；

在所述电介质表面上沉积具有第二电导率的第二金属导电层；

在所述通孔中沉积所述第二金属导电层包围并且相邻的、具有第一较低电导率的第一金属导电层；以及

将金属化应用于所述通孔，以形成到所述通孔的电连接。

15.如权利要求14所述的方法，其中，沉积第二金属导电层包括填充所述通孔。

16.如权利要求15所述的方法，还包括在所述通孔的中心创建圆筒开口，并且采用电介质来填充所述开口。

17.如权利要求14所述的方法，其中，沉积第一金属导电层包括在所述第一金属导电层的各同心圆筒层之间沉积带有具有第二电导率的同心圆筒层的多个同心圆筒层。