[发明专利]用于类似铜铟亚盐酸太阳能电池的光伏器件的后接触结构

权利要求书

1.一种用于光伏器件的后接触结构，包括：

基片；

含有钼的第一导电后接触层，位于所述基片上；和

含有氧化钼的基础种子层，直接形成于所述第一导电后接触层上，所述含有氧化钼的基础种子层的导电性小于所述含有钼的第一导电后接触层，

其中，所述含有氧化钼的基础种子层的厚度范围从以下构成的组中被选定：5-15nm、35-45nm、60-70nm、和90-100nm，且其中，所述第一导电后接触层位于所述基片和所述基础种子层之间，

其中，所述含有氧化钼的基础种子层在硒化过程中被转换成含有MoSe₂的层，其厚度范围从以下构成的组中被选定：5-15nm、35-45nm、60-70nm、和90-100nm，

其中，所述基础种子层的厚度与所述含有MoSe₂的层的厚度对应。

2.如权利要求1所述的后接触结构，其中，所述基片包含玻璃。

3.如权利要求1所述的后接触结构，其中，所述基片包含金属箔。

4.如权利要求1所述的后接触结构，其中，所述含有氧化钼的基础种子层的厚度从以下构成的组中被选定：10nm、40nm、65nm、和95nm。

5.如权利要求1所述的后接触结构，其中，所述含有钼的第一导电后接触层的厚度范围为300-600nm。

6.如权利要求1所述的后接触结构，其中，所述含有钼的第一导电后接触层的厚度为400nm。

7.如权利要求1所述的后接触结构，其中，在所述基片和所述含有钼的第一导电后接触层之间配置含氮化硅和/或氧氮化硅的介质层。

8.如权利要求1所述的后接触结构，其中，所述基础种子层主要由氧化钼组成。

9.如权利要求1所述的后接触结构，其中，所述第一导电后接触层主要由钼组成。

10.一种用于光伏器件的后接触结构，包括：

基片；

后接触层，包含具第一密度的第一钼基区域和具第二密度的第二钼基区域，所述第一密度高于所述第二密度，所述第一钼基区域位于所述基片和所述第二钼基区域之间，所述第二钼基区域形成基础种子区域，

其中，含有钼的所述基础种子区域的厚度范围从以下构成的组中被选定：5-15nm、35-45nm、60-70nm、和90-100nm，

所述基础种子区域在硒化过程中被转换至含有MoSe₂的层，其厚度范围从以下构成的组中被选定：5-15nm、35-45nm、60-70nm、和90-100nm，

其中，所述基础种子层的厚度与所述含有MoSe₂的层的厚度对应。

11.如权利要求10所述的后接触结构，其中，所述基片包含玻璃。

12.如权利要求10所述的后接触结构，其中，所述第二钼基区域包含氧化钼。

13.如权利要求10所述的后接触结构，其中，含有钼的所述基础种子区域的厚度从以下构成的组中被选定：10nm、40nm、65nm、和95nm。

14.如权利要求10所述的后接触结构，其中，所述具第一密度的第一钼基区域的厚度范围为300-600nm。

15.如权利要求10所述的后接触结构，其中，所述第一密度比所述第二密度大10％。

16.如权利要求10所述的后接触结构，其中，所述第一密度比所述第二密度大20％。

17.如权利要求10所述的后接触结构，其中，在所述基片和所述第一钼基区域之间配置含氮化硅和/或氧氮化硅的介质层。

18.一种光伏器件，包括：

半导体吸收薄膜；

后接触部，包括含钼的第一导电层和含MoSe₂的光耦合层，其厚度范围从以下构成的组中被选定：5-15nm、35-45nm、60-70nm、90-100nm；和

后基片，

其中，所述后接触部位于所述后基片和所述半导体吸收薄膜之间，

其中，所述含MoSe₂的光耦合层直接形成于所述含钼的第一导电层上。