[发明专利]用于电镀的CIGS光伏器件的后电极结构及制备其的方法

权利要求书

1.一种制备光伏器件的方法，所述方法包括：

将含有钼的导电后接触层形成在后基片上；

在所述后基片和所述导电后接触层上溅射沉积界面种子层，所述界面种子层包含铜、铟、和镓；

在所述后基片上形成半导体吸收薄膜，位于所述界面种子层上，其中，所述形成半导体吸收薄膜的步骤包括：溅射含有或主要由铜构成的层，并随后在所述含有或主要由铜构成的层上电镀含有铟和镓的薄膜，所述含有铟和镓的薄膜包括一个或多个层。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述半导体吸收薄膜上形成前电极。

3.如上述权利要求中任何一项所述的方法，其中，所述含有或主要由铜构成的层，其厚度为20-100nm。

4.如上述权利要求中任何一项所述的方法，其中，所述含有或主要由铜构成的层，其厚度为40-80nm。

5.如上述权利要求中任何一项所述的方法，其中，所述电镀含有铟和镓的薄膜的步骤包括：在所述含有或主要由铜构成的层上，电镀含有或主要由铟构成的层并随后电镀含有或主要由镓构成的层。

6.如上述权利要求中任何一项所述的方法，其中，所述电镀含有铟和镓的薄膜的步骤包括：在所述含有或主要由铜构成的层上，电镀含有CIGS的整个化合物。

7.如上述权利要求中任何一项所述的方法，其中，所述电镀含有铟和镓的薄膜的步骤包括：电镀铜铟、铜镓、和铟镓合金并使所述合金在所述含有或主要由铜构成的层上起反应。

8.如上述权利要求中任何一项所述的方法，其中，所述形成半导体吸收薄膜的步骤包括：在所述电镀之后，使用450-600℃的温度来加热所述电镀的层。

9.如上述权利要求中任何一项所述的方法，其中，所述界面种子层，其包括一个或多个层，厚度为20-100nm。

10.如上述权利要求中任何一项所述的方法，其中，所述界面种子层，其包括一个或多个层，厚度为40-80nm。

11.如上述权利要求中任何一项所述的方法，其中，所述后基片包括玻璃。

12.如上述权利要求中任何一项所述的方法，其中，所述界面种子层包括：多个含有铜、铟、镓的含金属和/或金属层。

13.如权利要求12所述的方法，其中，所述多个含有铜、铟、镓的含金属和/或金属层的第一层，其镓含量大于所述多个含有铜、铟、镓的含金属和/或金属层的第二层，其中，与所述多个含有铜、铟、镓的含金属和/或金属层的所述第一层相比，所述多个含有铜、铟、镓的含金属和/或金属层的所述第二层更远离所述含有钼的导电后接触层。

14.如权利要求1-12所述的方法，其中，所述界面种子层包括：含有铜、铟、镓的第一和第二金属和/或含金属层，其中，与所述第二层相比，所述第一层更接近所述含有钼的导电后接触层，且其中，所述第一层的镓含量大于所述第二层的镓含量。

15.如权利要求14所述的方法，其中，在所述界面种子层中[Cu]>([In]+[Ga])，[Cu]是铜的浓度，[In]是铟的浓度，且[Ga]是镓的浓度。

16.如权利要求14所述的方法，其中，[Ga]/([In]+[Ga])的浓度比率，从最接近所述含有钼的导电层的界面的所述界面种子层的所述第一层中的0.5，减少至所述界面种子层与所述光伏器件的CIGS半导体吸收层之间的界面中的0.3。

17.如权利要求14所述的方法，其中，[Ga]/([In]+[Ga])的浓度比率，从最接近所述含有钼的导电层的界面的所述界面种子层的所述第一层中的0.4，逐步减少至所述界面种子层与所述光伏器件的CIGS半导体吸收层之间的界面中的0.3。

18.如权利要求14所述的方法，其中，贯穿所述界面种子层的[Ga]/([In]+[Ga])的浓度比率为0.3。

19.如权利要求1-11所述的方法，其中，所述界面种子层包括：多个含有铜、铟、镓的铜基层，其中，所述多个铜基层中的镓含量，以远离所述含有钼的导电后接触层的方向逐步减少。