[发明专利]具有数据保持浮栅电容器的硅化集成电路

权利要求书

1.一种在体区的半导体表面形成的集成电路，其包括用于模拟半导体集成电路的电可编程电容器结构，所述集成电路包括：

第一多晶硅电极；

在所述第一多晶硅电极上方设置的硅化物阻挡薄膜，所述硅化物阻挡薄膜包括在氮化硅层下面的二氧化硅层；

在所述硅化物阻挡薄膜上方设置的电容器电介质薄膜，其与所述硅化物阻挡薄膜的所述氮化硅层直接接触；

第一导电极板，其包括金属并且在导体层级中形成，所述第一导电极板设置在所述第一多晶硅电极的第一部分上方，所述电容器电介质薄膜在它们之间；

第二多晶硅电极，其至少一部分外覆有通过直接反应形成的金属硅化物，并且所述第二多晶硅电极由与所述第一多晶硅电极相同的多晶硅层形成；以及

第二导电极板，其包括金属并且在所述导体层级中形成，所述第二导电极板设置在所述第二多晶硅电极的外覆部分上方，所述电容器电介质薄膜在它们之间，所述电容器电介质薄膜与所述第二多晶硅电极的外覆部分直接接触。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一导电极板和所述第二导电极板由金属氮化物组成。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述金属氮化物是氮化钽。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述金属硅化物是硅化钴。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述电容器电介质薄膜包括：

第一层氮化硅；

覆盖在所述第一层氮化硅上面的第一层二氧化硅；

覆盖在所述第一层二氧化硅上面的第二层氮化硅。

6.根据权利要求5所述的集成电路，其中所述电容器电介质薄膜的所述第一层氮化硅直接覆盖在所述硅化物阻挡薄膜的所述氮化硅层上面。

7.根据权利要求1所述的集成电路，进一步包括：

半导体表面的第一有源区和第二有源区；

设置在所述半导体表面的所述第一有源区和所述第二有源区上方的栅电介质薄膜；

形成在所述第二有源区中的源极和漏极掺杂的区域；

其中所述第一多晶硅电极具有在所述第一有源区上方延伸的第二部分，所述栅电介质薄膜设置在它们之间，以形成第一隧道式电容器；

并且其中所述第一多晶硅电极具有在所述源极和漏极掺杂的区域之间的半导体表面上方延伸的第三部分，用作晶体管栅电极。

8.根据权利要求7所述的集成电路，进一步包括所述半导体表面的第三有源区；并且其中所述第一多晶硅电极具有在所述第三有源区上方延伸的第四部分，所述栅电介质薄膜设置在它们之间，以形成第二隧道式电容器。

9.一种制造用于模拟半导体集成电路的电可编程的电容器结构的方法，所述模拟半导体集成电路在体区的半导体表面处形成，所述方法包括以下步骤：

在所述半导体表面的选定位置处形成隔离电介质结构，所述隔离电介质结构定义在它们之间的表面的有源区；

接着全面形成由多晶硅组成的电极层；

接着在所述电极层上淀积硅化物阻挡薄膜，所述硅化物阻挡薄膜包括在第一层氮化硅下面的第一层二氧化硅；

从所述电极层的一部分选择性地去除所述硅化物阻挡薄膜，使得所述硅化物阻挡薄膜保留在所述电极层的对应于第一电极的一部分上方，所述第一层氮化硅位于暴露的表面处，并且从所述电极层的对应于第二电极的一部分去除所述硅化物阻挡薄膜；

接着使所述多晶硅电极层的暴露部分，包括对应于所述第二电极的那部分，与金属反应，从而形成金属硅化物；

接着全面淀积电容器电介质薄膜；

接着淀积包含金属的导体层；以及

去除所述导体层的选定部分，以在覆盖在隔离电介质结构上面的位置处定义覆盖在所述第一电极的一部分上面的第一导电极板，所述电容器电介质薄膜和所述硅化物阻挡薄膜在它们之间，并且定义覆盖在所述第二电极的一部分上面的第二导电极板，所述电容器电介质薄膜在它们之间。

10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括，在选择性去除所述硅化物阻挡薄膜的步骤之后并且在反应步骤之前，全面形成所述金属的层。

11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括在反应步骤之后，去除所述金属的非硅化部分。