[发明专利]数字转换器用磁场屏蔽片及其制备方法和利用其的便携式终端设备有效

专利信息
申请号: 201380034191.7 申请日: 2013-06-04
公开(公告)号: CN104412728B 公开(公告)日: 2017-12-05
发明(设计)人: 张吉在;李东勋;李炳璂 申请(专利权)人: 阿莫先恩电子电器有限公司
主分类号: B32B7/12 分类号: B32B7/12;B32B27/08;B32B27/28;B32B27/32;B32B27/36;B32B37/12;B32B38/00;C21D6/00;H01F1/153
代理公司: 北京康盛知识产权代理有限公司11331 代理人: 张良
地址: 韩国忠清*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 数字 转换 器用 磁场 屏蔽 及其 制备 方法 利用 便携式 终端设备
【权利要求书】:

1.一种数字转换器用磁场屏蔽片,其特征在于,

包括:

至少一层薄片状磁片,由Fe类非晶质带状薄片形成,经过碎片化处理而分离成多个微细碎片,

保护膜,通过第一粘结层粘结于上述薄片状磁片的一面,以及

双面胶,通过第二粘结层粘结于上述薄片状磁片的另一面,

上述第一粘结层和第二粘结层的一部分填充于上述多个微细碎片之间的缝隙,来防止水分的渗透,同时以粘结剂包覆微细碎片的表面,来对上述多个微细碎片进行相互绝缘,

上述粘结剂为非导电性粘结剂。

2.根据权利要求1所述的数字转换器用磁场屏蔽片,其特征在于,在300℃至480℃的范围内对上述非晶质带状薄片进行热处理。

3.根据权利要求2所述的数字转换器用磁场屏蔽片,其特征在于,当同时使用上述数字转换器和地磁传感器时,上述薄片状磁片的电感值设定为15μH至18μH的范围。

4.根据权利要求1所述的数字转换器用磁场屏蔽片,其特征在于,上述非晶质带状薄片的厚度在15μm至35μm的范围。

5.根据权利要求1所述的数字转换器用磁场屏蔽片,其特征在于,上述多个微细碎片的大小为几十μm至3mm。

6.根据权利要求1所述的数字转换器用磁场屏蔽片,其特征在于,上述薄片状磁片包括:

Fe类非晶质带状薄片,由多个微细碎片构成;

聚合物片,层叠于上述Fe类非晶质带状薄片,上述聚合物片的磁导率低于上述Fe类非晶质带状薄片的磁导率;以及

粘结层,用于使上述Fe类非晶质带状薄片和聚合物片相粘结。

7.根据权利要求1所述的数字转换器用磁场屏蔽片,其特征在于,还包括辅助磁片,上述辅助磁片以环形层叠于上述薄片状磁片的一侧边或外周。

8.根据权利要求1所述的数字转换器用磁场屏蔽片,其特征在于,还包括导电体片,上述导电体片以薄片状形态形成于上述保护膜的外侧面,用于屏蔽电磁波。

9.一种数字转换器用磁场屏蔽片的制备方法,其特征在于,

包括:

在300℃至480℃的温度下,对Fe类非晶质带状薄片进行30分钟至两个小时的热处理,来形成薄片状磁片的步骤,

在上述薄片状磁片的两侧面分别附着保护膜和双面胶来形成层叠片的步骤,上述双面胶的露出面形成有离型膜,

对上述层叠片进行碎片化处理,来将上述薄片状磁片分割为多个微细碎片的步骤,以及

对经过碎片化处理的上述层叠片进行层压的步骤;

上述层叠片借助层压处理而实现平坦化及轻薄化,形成于上述保护膜和双面胶的第一粘结层及第二粘结层的一部分填充于上述多个微细碎片的缝隙,来防止水分的渗透,同时以粘结剂包覆微细碎片的表面,来对上述多个微细碎片进行相互绝缘,

上述粘结剂为非导电性粘结剂。

10.根据权利要求9所述的数字转换器用磁场屏蔽片的制备方法,其特征在于,在445℃至460℃的温度下对上述Fe类非晶质带状薄片进行30分钟至两个小时的热处理。

11.根据权利要求10所述的数字转换器用磁场屏蔽片的制备方法,其特征在于,上述Fe类非晶质带状薄片的电感值设定为15μH至18μH的范围。

12.根据权利要求9所述的数字转换器用磁场屏蔽片的制备方法,其特征在于,上述Fe类非晶质带状薄片由Fe-Si-B合金形成。

13.根据权利要求9所述的数字转换器用磁场屏蔽片的制备方法,其特征在于,上述多个微细碎片的大小为几十μm至3mm。

14.根据权利要求9所述的数字转换器用磁场屏蔽片的制备方法,其特征在于,在上述层压的步骤之后,还包括在上述保护膜的外侧面粘结铜箔或铝箔的步骤。

15.一种便携式终端设备,具有第一磁场屏蔽片,上述第一磁场屏蔽片插入于数字转换器面板和主电路板之间,用于屏蔽从上述主电路板发生的交流磁场,上述便携式终端设备的特征在于,

上述第一磁场屏蔽片为权利要求1至8中任一项所述的数字转换器用磁场屏蔽片。

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