[发明专利]用于供给多种气体的供气单元及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于供给多种气体的供气单元及其制造方法。

背景技术

发光二极管(LED：Light Emitting Diode)作为将电流转换成光的半导体发光元件，作为包括信息通信设备在内的电子装置的显示图像用光源被广泛应用。特别是，与白炽灯、荧光灯等传统照明不同，其将电能转换成光能的效率高，最高可以节省90％能量，随着周知该事实，作为能够代替荧光灯或白炽灯泡的元件而受人瞩目。

这种LED元件的制造工艺大致可以分为外延工艺、芯片工艺、封装工艺。外延工艺是指使化合物半导体在基板上外延生长(epitaxial growth)的工艺，芯片工艺是指在经过外延生长的基板的各部分形成电极以制造外延芯片的工艺，封装工艺是指通过将引线(Lead)连接到这样制造的外延芯片上从而尽可能将光发射到外部的进行封装的工艺。

可以说，在这些工艺中外延工艺是决定LED元件的发光效率的最核心工艺。这是因为，当化合物半导体未在基板上外延生长时，结晶内部出现缺陷，而这种缺陷充当非发光中心(nonradiative center)，从而降低LED元件的发光效率。

在进行这种外延工艺、即在基板上形成沉积膜的工艺时采用液相外延(LPE：Liquid Phase Epitaxy)、气相外延(VPE：Vapor Phase Epitaxy)、分子束外延(MBE：Molecular Beam Epitaxy)、化学气相沉积(CVD：Chemical Vapor Deposition)法等，其中，主要采用有机金属化学气相沉积法(MOCVD：Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)或氢化物气相外延法(HVPE：Hydride Vapor Phase Epitaxy)。

当利用现有的MOCVD方法以及HVPE方法在多个基板上形成沉积膜时，一般是从反应腔室的下部或一侧面供给工艺气体。但是，此时由于无法向多个基板供给恒定的工艺气体，导致无法在多个基板上形成均匀的沉积膜。由此，无法大批量生产具有相同质量的高效率LED元件，从而降低工艺生产率和效率。

此外，为了进行这种工艺而使用用于供给源气体的多个喷嘴，而此时必须解决喷嘴被堵塞的问题。

发明内容

技术问题

本发明为了解决如上所述的现有技术的所有问题而提出，目的在于提供一种供气单元及其制造方法，所述供气单元能够在多个基板上均匀地形成沉积膜的同时解决供气部位被堵塞的问题。

解决问题的手段

为了实现上述目的，根据本发明的一实施例，提供一种供气单元，用于供给多种气体，其特征在于，包括外管以及位于所述外管内部的至少一个内管，供给至所述内管的第一工艺气体通过多个第一气体喷射口喷射至所述外管的外部，供给至所述外管的第二工艺气体通过多个第二气体喷射口喷射至所述外管的外部。

发明效果

根据本发明，提供一种能够在多个基板上均匀地形成沉积膜的供气单元及其制造方法。

此外，根据本发明，提供一种防止供给工艺气体的部位被堵塞的供气单元及其制造方法。

附图说明

图1是示出本发明的一实施例涉及的沉积膜形成装置的结构的剖视图。

图2是示出本发明的一实施例涉及的用于供给多种气体的供气单元的制造方法的示意图。

图3是示出本发明的一实施例涉及的用于供给多种气体的供气单元的结构的剖视图。

图4是示出本发明的另一实施例涉及的用于供给多种气体的供气单元的制造方法的示意图。

图5是示出本发明的另一实施例涉及的用于供给多种气体的供气单元的结构的剖视图。

具体实施方式

有关后述的本发明的详细说明，参照例示出能够实施本发明的特定实施例的附图。通过对这些实施例的详细说明，所属领域的技术人员能够充分实施本发明。本发明的各种实施例虽然有所不同，但不应理解为相互排斥。例如，记载于此的一实施例的特定形状、结构以及特性，在不超出本发明的精神以及范围的基础上，可以以其他实施例的形式体现。而且，应理解为，每个公开的实施例中的个别构成要素的位置或设置，可以在不超出本发明的精神以及范围的情况下进行变更。因此，后述的详细说明并非旨在限定本发明，准确地说，本发明的范围仅以权利要求书所记载的内容为准，包括与其权利要求所主张的内容等同的所有范围。附图中类似的附图标记在多个方面表示相同或类似的功能。

下面参照附图来详细说明本发明的结构。