[发明专利]太阳能电池和制造太阳能电池的方法在审
申请号: | 201380034356.0 | 申请日: | 2013-07-26 |
公开(公告)号: | CN104428903A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 权珍浩 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 高伟;陆弋 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 制造 方法 | ||
1.一种制造太阳能电池的方法,所述方法包括:
在衬底上形成背电极层;
穿过所述背电极层形成第一通孔;
在所述背电极层上形成光吸收层;
在所述光吸收层上形成缓冲层;以及
穿过所述缓冲层和所述光吸收层形成第二通孔,
其中,在所述第一通孔与所述第二通孔之间的间隔是大约40μm或者更大。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一通孔与所述第二通孔之间的间隔在大约40μm至大约200μm的范围内。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述第一通孔具有在80μm至200μm的范围内的宽度,并且所述第二通孔具有在100μm至200μm的范围内的宽度。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,在所述背电极层上形成所述光吸收层之后,所述第一通孔与所述第二通孔重叠。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述第一通孔和所述第二通孔彼此重叠了所述第二通孔的整个宽度的大约1%至大约20%。
6.一种太阳能电池,包括:
衬底;
在所述衬底上的背电极层;
在所述背电极层上的光吸收层;以及
在所述光吸收层上的缓冲层,
其中,穿过所述背电极层形成第一通孔,穿过所述缓冲层和所述光吸收层形成第二通孔,并且所述第一通孔与所述第二通孔重叠。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池,其中,所述第一通孔具有在80μm至200μm的范围内的宽度,并且所述第二通孔具有在100μm至200μm的范围内的宽度。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池,其中,所述第一通孔和所述第二通孔彼此重叠了所述第二通孔的整个宽度的大约1%至大约20%。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池,其中,所述第一通孔和所述第二通孔在一个方向上平行地延伸。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池,其中,所述第一通孔与所述第二通孔之间的距离是40μm或者更大。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池,其中,所述第一通孔与所述第二通孔之间的间隔在40μm至200μm的范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的