[发明专利]晶体管以及晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种晶体管，其特征在于，具备：

半导体层；

栅极绝缘膜，其形成在所述半导体层上；

栅电极，其形成在所述栅极绝缘膜上；以及

源电极以及漏电极，它们在所述半导体层上夹着所述栅电极而形成，

在所述栅极绝缘膜中包含的杂质的浓度从所述栅极绝缘膜的所述半导体层侧的表面到所述栅极绝缘膜的所述栅电极侧的表面而减少。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，

所述杂质为氢原子以及碳原子中的至少一方。

3.根据权利要求1或2所述的晶体管，其特征在于，

所述栅极绝缘膜具有：

第1栅极绝缘膜，通过使用了第1反应物质以及第2反应物质的第1原子层沉积法形成所述第1栅极绝缘膜；和

第2栅极绝缘膜，通过使用了第1反应物质以及第2反应物质的第2原子层沉积法，在所述第1栅极绝缘膜上形成所述第2栅极绝缘膜，

在所述第2原子层沉积法中使用的所述第2反应物质与在所述第1原子层沉积法中使用的所述第2反应物质相比反应性高，

所述第2栅极绝缘膜与所述第1栅极绝缘膜相比杂质的浓度小。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的晶体管，其特征在于，

所述栅极绝缘膜由氧化物材料构成。

5.根据权利要求4所述的晶体管，其特征在于，

所述氧化物材料为氧化铝。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的晶体管，其特征在于，

所述第1反应物质为三甲基铝，

在所述第1原子层沉积法中使用的第2反应物质为臭氧或者水蒸气的任一方，

在所述第2原子层沉积法中使用的第2反应物质为氧等离子体。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的晶体管，其特征在于，

所述半导体层包括与所述栅极绝缘膜接触的氮化铝镓层、以及与该氮化铝镓层接触的氮化镓层。

8.一种晶体管的制造方法，其特征在于，具备：

准备半导体层的工序；

通过使用第1反应物质以及第2反应物质的第1原子层沉积法，在所述半导体层上形成第1栅极绝缘膜的工序；

通过使用第1反应物质以及第2反应物质的第2原子层沉积法，在所述第1栅极绝缘膜上形成第2栅极绝缘膜的工序；

在所述第2栅极绝缘膜上形成栅电极的工序；以及

在所述半导体层上夹着所述栅电极形成源电极以及漏电极的工序，

在所述第2原子层沉积法中使用的所述第2反应物质与在所述第1原子层沉积法中使用的所述第2反应物质相比反应性高，

所述第2栅极绝缘膜与所述第1栅极绝缘膜相比杂质的浓度小。

9.根据权利要求8所述的晶体管的制造方法，其特征在于，

所述第1反应物质为三甲基铝，

在所述第1原子层沉积法中使用的第2反应物质为臭氧或者水蒸气的任一方，

在所述第2原子层沉积法中使用的第2反应物质为氧等离子体。

10.根据权利要求8或9所述的晶体管的制造方法，其特征在于，

所述杂质为氢原子以及碳原子中的至少一方，

所述第1栅极绝缘膜以及所述第2栅极绝缘膜由氧化铝构成。