[发明专利]固态图像拾取装置及其制造方法以及电子设备

权利要求书

1.一种固态图像拾取装置，包括像素部，该像素部包括多个像素，该多个像素的每一个包括一个或多个有机光电转换部，

其中该像素部包括有效像素区域和光学黑色区域，并且

该光学黑色区域的该有机光电转换部包括遮光膜和缓冲膜，其中，一有机半导体层具有光电转换功能，所述缓冲膜位于有机半导体层的光入射侧上、遮光膜和有机半导体层之间。

2.根据权利要求1所述的固态图像拾取装置，

其中该有效像素区域的该有机光电转换部包括第一电极和第二电极之间的所述有机半导体层，并且

该光学黑色区域的该有机光电转换部包括该第一电极和该第二电极之间的该有机半导体层。

3.根据权利要求2所述的固态图像拾取装置，还包括设置在该第二电极和该遮光膜之间的保护膜，

其中该缓冲膜设置在该第二电极和该保护膜之间。

4.根据权利要求2所述的固态图像拾取装置，还包括设置在该第二电极和该遮光膜之间的保护膜，

其中该缓冲膜设置在该保护膜和该遮光膜之间。

5.根据权利要求2所述的固态图像拾取装置，

其中该缓冲膜设置在该有机半导体层和该第二电极之间。

6.根据权利要求1所述的固态图像拾取装置，

其中该缓冲膜由SiN、SiO₂、SiON、SiC、SiCN、ITO、Al和AlO组成的组中的至少一个构成。

7.根据权利要求1所述的固态图像拾取装置，

其中该光学黑色区域和该有效像素区域之间的应力差为-150MPa以上200MPa以下。

8.根据权利要求7所述的固态图像拾取装置，

其中该光学黑色区域中该光入射侧上的膜应力为-150MPa以上200MPa以下。

9.根据权利要求7所述的固态图像拾取装置，

其中该有效像素区域中该光入射侧上的膜应力为-150MPa以上200MPa以下。

10.根据权利要求1所述的固态图像拾取装置，

其中该像素的每一个包括一个或多个无机光电转换部，该无机光电转换部构造为在与该有机光电转换部不同的波长范围内执行光电转换，并且

在该像素的每一个中，堆叠该一个或多个有机光电转换部和该一个或多个无机光电转换部。

11.根据权利要求10所述的固态图像拾取装置，

其中该无机光电转换部埋设在半导体基板中，并且

该有机光电转换部形成在该半导体基板的第一表面侧上。

12.根据权利要求11所述的固态图像拾取装置，还包括多层配线层，该多层配线层形成在该半导体基板的第二表面侧上。

13.根据权利要求11所述的固态图像拾取装置，

其中该有机光电转换部构造为执行绿光的光电转换，并且

在该半导体基板中，堆叠构造为执行蓝光光电转换的该无机光电转换部和构造为执行红光光电转换的该无机光电转换部。

14.一种固态图像拾取装置的制造方法，该固态图像拾取装置包括像素部，该像素部包括多个像素，该多个像素的每一个包括一个或多个有机光电转换部，该方法包括：

在该像素部中设置有效像素区域和光学黑色区域；

在该有效像素区域的该有机光电转换部中形成第一电极、有机半导体层和第二电极，该有机半导体层具有光电转换功能；以及

在该光学黑色区域的该有机光电转换部中形成该第一电极、该有机半导体层、该第二电极和遮光膜，并且在该有机半导体层的该第二电极侧形成缓冲层，其中，所述缓冲层位于有机半导体层和遮光膜之间。

15.根据权利要求14所述的固态图像拾取装置的制造方法，还包括在该第二电极和该遮光膜之间设置保护膜，

其中该缓冲膜设置在该第二电极和该保护膜之间。

16.根据权利要求14所述的固态图像拾取装置的制造方法，还包括在该第二电极和该遮光膜之间设置保护膜，

其中该缓冲膜设置在该保护膜和该遮光膜之间。

17.根据权利要求14所述的固态图像拾取装置的制造方法，

其中该缓冲膜设置在该有机半导体层和该第二电极之间。

18.一种具有固态图像拾取装置的电子设备，该固态图像拾取装置包括像素部，该像素部包括多个像素，该多个像素的每一个包括一个或多个有机光电转换部，

其中该像素部包括有效像素区域和光学黑色区域，并且

该光学黑色区域的该有机光电转换部包括遮光膜和缓冲膜，其中，一有机半导体层具有光电转换功能，所述缓冲膜位于有机半导体层的光入射侧上、遮光膜和有机半导体层之间。