[发明专利]用于确定细胞悬液的细胞的数量的装置在审

专利信息
申请号: 201380034979.8 申请日: 2013-06-24
公开(公告)号: CN104380080A 公开(公告)日: 2015-02-25
发明(设计)人: M.J.黑劳;L.里希特;O.海登 申请(专利权)人: 西门子公司
主分类号: G01N15/10 分类号: G01N15/10;B01L3/00;B03C1/01;B03C1/28;G01N33/543
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 卢江;刘春元
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 用于 确定 细胞 数量 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种用于确定细胞悬液的细胞的数量的装置,所述装置具有用于引导细胞悬液的流体通道和在流体通道上的用于计数细胞悬液中的磁性标记细胞的磁性传感器。

背景技术

对于单独细胞检测而言,例如可以使用光学的流量细胞仪。所述流量细胞仪借助FACS系统(fluorescence activated cell sorting,荧光激活细胞分类)提供下述可能性,即将荧光标记的细胞从测量悬液分离并且继续应用。在此,将分离的细胞根据标记以不同强度电加载并且由带电的板转向到不同接收容器中。

替代于基于荧光的检测,也可以使用基于磁性的细胞检测。对于选择的、磁性的单独细胞检测,将具有超顺磁性的标记的细胞标记并且经由磁阻构件、例如GMR传输。目的是,在细胞浓度尽可能高的情况下,可以以尽可能小的间距相互布置分析物并且可以单独检测分析物。

发明内容

本发明的任务是,说明一种装置和一种方法,借助所述装置和所述方法可以实现基于磁性的单独细胞检测并且同时可以实现将磁性标记的细胞与未标记的细胞分离。

该任务通过具有权利要求1的特征的装置来解决。关于方法,所述任务通过具有权利要求6的特征的方法来解决。从属权利要求涉及装置的有利的设计方案。

根据本发明的,用于确定细胞悬液的细胞的数量的装置具有用于传导细胞悬液的流体通道。此外,该装置包括在流体通道上的磁性传感器。所述磁性传感器尤其基于GMR、AMR或诸如此类的,并且被构型用于计数细胞悬液中的磁性标记的细胞。适当地,磁性传感器直接靠近流体通道或位于流体通道之内。

最后,流体通道具有拥有增大的横截面的积聚区域。在此,在积聚区域的至少一侧上布置有磁体。磁体可以为电磁体。然而,优选地使用永久磁体。

在根据本发明的用于确定细胞悬液的细胞的数量并且积聚磁性标记的细胞的方法中,提供具有第一横截面并且具有积聚区域的流体通道,该积聚区域具有相对于第一横截面增大的第二横截面,将流体通道中的细胞朝向积聚区域并且在那里朝向用于计数细胞悬液中的磁性标记的细胞的磁性传感器引导并且最终将积聚区域中的细胞通过磁体拉向流体通道的一侧。

借助根据本发明的装置,有利地实现,除了单纯确定标记细胞的数量之外,也进行细胞分离。对此,磁体负责磁性标记的细胞在积聚区域中的积聚。因为未磁性标记的细胞不会对磁场做出反应,所以所述未磁性标记的细胞也不会积聚并且不受阻碍地在流体通道中流动远离磁体。在此,适当的是,磁性传感器被布置在积聚区域中。因此,除了测量细胞之外,也可以有利地进行细胞的随后的分离以及磁性标记的细胞的提取。在此,磁性标记的细胞被积聚并且随后的用于将磁性标记的细胞和未磁性标记的细胞分类的步骤是不必要的。所述过程方式简化了或节省了复杂的样品整理,所述样品整理始终与要研究的细胞材料的潜在损耗相关联。

在此,磁体优选地被布置,使得将细胞从流体通道的位于积聚区域之外的横截面拉进积聚区域中。换言之,将细胞拉出位于流体通道中的流动。在积聚区域中停留在流体通道的流动稳定的部分中的细胞可以更容易受到由磁体产生的磁场的力作用的影响并且不那么容易地被以其它方式位于流体通道中的流动带走。

尤其有利的是,沿细胞悬液的流动方向,流动通道在积聚区域的端部上具有凹状的形状,被构型用于接收由磁体拉到积聚区域中的磁性标记的细胞。换言之,流体通道在朝向其端部的扩宽横截面的区域中具有袋状部或类似的造型,所述袋状部或类似的造型被形成,使得被引入那里一次的细胞大大地从流体通道中的流动上被切除并且仅还可以通过以下方式到达流体通道中,即所述细胞反着其它占优势的流动来运动。

附图说明

现在,根据附图的图详细阐述用于本发明的优选的、然而在任何情况下都不限制的实施例。在此,示意地示出特征。其中:

图1示出基于Si的GMR传感器和用于确定细胞数量和积聚的流体通道的装置;

图2-4示出运行中的装置;

图5示出在血液学中使用装置的情况下的过程步骤;

图6示出在止血分析中使用装置的情况下的过程步骤。

具体实施方式

根据图1的用于单独细胞检测和随后分离细胞17、18的装置10由混合室(在图1中没有示出)和用于积聚和引导细胞经过磁阻的GMR传感器12的流体通道11。在根据图1的实施例中,GMR传感器12安置在硅晶片上,所述硅晶片又被布置在永久磁体13上。

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