[发明专利]液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示装置，具体地涉及具有优异的残像特性的横向电场模式的有源矩阵型液晶显示装置。

背景技术

在近年来对大型监视器广泛采用的IPS(平面转换)模式中，液晶的分子轴通过平面转换在与基板平行的面内旋转，从而进行显示。因此，对分子轴的上升角度的视角依赖性消除，因此IPS模式的视角特性比TN模式的视角特性更加有利。相反，由于在IPS模式中将像素电极和共同电极配置成梳状来施加横向电场，因此电极的面积与显示区域的比率变高。因此，IPS模式中的开口率比TN模式中的开口率更不利，但是近年来已被改善为与TN模式下的开口率相同。

(常规示例1)

说明IPS模式的示例。图7(a)表示一个像素的平面图，图7(b)表示显示区域的剖视图。在第一基板上形成有包括第一金属层的扫描信号配线701和并排设置的两个共同信号配线702。在扫描信号配线701和共同信号配线702上形成有栅极绝缘膜703，并且在第一绝缘膜上形成有包括第二金属层的图像信号配线704、薄膜半导体层705、以及源电极706。在图像信号配线704、薄膜半导体层705、以及源电极706上形成有包括无机膜的钝化膜707，并且在钝化膜上还形成有包括有机膜的平坦化膜708。在平坦化膜708上形成有包括透明导电膜的像素梳状电极709和共同梳状电极710。当不使用平坦化膜708时，在钝化膜707上形成有所述像素梳状电极709和共同梳状电极710。

图像信号配线704通过钝化膜707和平坦化膜708被共同屏蔽电极710B在配线宽度方向上完全覆盖。像素梳状电极709和共同梳状电极710分别经由接触孔711和接触孔712与源电极706和共同信号配线702电连接。共同信号配线702和源电极706彼此重叠的区域具有存储电容。

由于像素梳状电极709和共同梳状电极710均由透明导电膜形成，因此电极上的区域也有助于透射率。由于图像信号配线704被共同屏蔽电极710B在配线宽度方向上完全覆盖的结构，因此能够将开口扩展到图像信号配线704的附近。

根据申请人的发现，在专利文献1中，公开了设置有具有不同线宽的像素梳状电极的结构，但是不限定具有粗线宽的像素梳状电极的宽度与共同屏蔽电极的宽度大致相同。另外，不限定具有粗线宽的像素梳状电极的位置。专利文献1中公开的发明的目的是通过层叠透明导电层和金属层来形成具有粗线宽的像素梳状电极，并通过在像素梳状电极的位置上形成存储电容来实现高开口率。但是，本发明的目的是像素电极和共同电极的结构的对称化，与专利文献1的发明的目的不同。

根据申请人的另一发现，在专利文献2中，公开了中央的像素梳状电极的宽度宽的结构，但是像素梳状电极的宽的宽度不与共同屏蔽电极的宽度大致相同。专利文献2的目的不是像本发明那样的对非对称性的缓和。

在专利文献3中提及的IPS模式中，在显示区域内具有三个像素梳状电极和两个共同梳状电极，像素梳状电极多于一个。通常，在负帧时(像素梳状电极的电位比共同梳状电极的电位低)，电子聚集在共同梳状电极的附近，由此像素梳状电极的附近明亮地发光。相反，在正帧时(像素梳状电极的电位比共同梳状电极的电位高)，电子聚集在像素梳状电极的附近，由此共同梳状电极的附近明亮地发光。因此，在负帧中明亮地发光的梳状电极的个数不同于在正帧中明亮地发光的梳状电极的个数，并且在正帧与负帧之间发光的方式不对称。

另外，图像信号配线被共同屏蔽电极在配线宽度方向上完全覆盖的结构导致共同梳状电极和共同屏蔽电极的总宽度大于像素梳状电极的总宽度，共同电位比像素电位高，像素梳状电极附近的电场更强，共同梳状电极附近的电场更弱。因此，负帧中的像素梳状电极附近的发光方式不同于正帧中的共同梳状电极附近的发光方式，帧间的发光方式进一步变得不对称。当在这种状态下以使帧间的亮度变得相等的方式晃动共同电位以进行闪烁调整时，在施加于像素梳状电极与共同梳状电极之间的信号上加载DC偏移，信号在帧间变得不对称。因此，认为残像恶化。

引文列表

专利文献

专利文献1：日本专利特开No.2003-140188(第5页、图1)

专利文献2：日本专利No.4047586(第7页、图1和图3)

专利文献3：日本专利No.4603560(第8页、图1)

发明内容

技术问题