[发明专利]用于制备含有清洁腔的真空绝缘玻璃VIG单元的方法及装置

权利要求书

1.一种制备真空绝缘玻璃单元的方法，所述方法包括以下步骤：

提供用于所述真空绝缘玻璃单元的第一和第二玻璃基片，所述玻璃基片之间具密封和腔；

将含有臭氧的清洁气体混合物泵送至所述腔内；以及

将经所述清洁气体混合物反应所生成的化合物和残余的清洁气体从所述腔中去除，

其中将所述含有臭氧的清洁气体混合物的至少一部分在所述腔中维持10-15秒。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述维持的步骤中提供附加的能源，至少通过以下中的一个：(i)加热所述玻璃基片以及其之间的所述腔；(ii)在所述腔附近产生射频RF等离子；(iii)在所述腔附近产生电晕放电；和/或(iv)以紫外线辐射来照射所述玻璃基片和所述腔。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述泵送、维持、和去除的步骤在≤250℃的温度下被执行。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述泵送、维持、和去除的步骤在环境温度下被执行。

5.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：将所述玻璃基片之间的所述腔排空至大气压以下的压力。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述泵送步骤在所述排空步骤之前被执行。

7.如权利要求5所述的方法，其中，所述泵送步骤在所述排空期间被执行。

8.如权利要求5-7中任何一项所述的方法，进一步包括以下步骤：在所述排空步骤之后密封泵出管。

9.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：重复所述泵送和去除的步骤至少两次。

10.如权利要求1所述的方法，其中，所述泵送和去除的步骤被重复2-6次。

11.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：以含有氮的气体来净化所述腔。

12.如权利要求11所述的方法，其中，所述净化步骤，在将所述含有臭氧的清洁气体混合物的至少一部分从所述腔中去除之后被执行。

13.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：执行所述腔的深真空净化。

14.如权利要求1所述的方法，其中，所述清洁气体混合物包含1-15wt.％的臭氧。

15.如权利要求1所述的方法，其中，所述清洁气体混合物包含5-10wt.％的臭氧。

16.如权利要求1所述的方法，其中，所述清洁气体混合物进一步包含氧气。

17.如权利要求1所述的方法，其中，所述清洁气体混合物的臭氧与残余的碳氢化合物和/或存在于所述腔中的聚合物起反应，且所述去除步骤，包括去除由所述清洁气体混合物的臭氧反应生成的化合物以及所述残余的碳氢化合物和/或聚合物。

18.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：形成密封从而所述密封包括钒。

19.如权利要求1所述的方法，其中，所述密封为边缘密封。

20.如权利要求1所述的方法，其中，所述密封包括钒、钡、和锌。

21.如权利要求1所述的方法，其中，所述玻璃基片中的一个包括低辐射涂层，位于相对于所述腔的内表面之上。