[发明专利]用于机电系统装置的腔衬里在审

专利信息
申请号: 201380036043.9 申请日: 2013-06-19
公开(公告)号: CN104428240A 公开(公告)日: 2015-03-18
发明(设计)人: 桑德迪普·K·吉里 申请(专利权)人: 高通MEMS科技公司
主分类号: B81B3/00 分类号: B81B3/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 机电 系统 装置 衬里
【权利要求书】:

1.一种机电系统设备,其包括:

第一电极;

第二可移动电极,其通过腔与所述第一电极分开,其中所述电极中的一者与所述腔之间的表面是粗糙表面;及

保形抗静摩擦层,其在所述腔内形成于所述粗糙表面上及所述电极中的另一者上。

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述保形抗静摩擦层包含具有比界定所述粗糙表面的材料大的硬度的材料。

3.根据权利要求1所述的设备,其中所述粗糙表面及形成于其上的所述保形抗静摩擦层各自具有大于约1.5nm rms的粗糙度。

4.根据权利要求1所述的设备,其中所述粗糙表面及形成于其上的所述保形抗静摩擦层各自具有在约1.5nm rms与约6nm rms之间的粗糙度。

5.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一电极是静止电极。

6.根据权利要求1所述的设备,其中所述保形抗静摩擦层包含电介质材料,其中所述电介质材料具有一保形性,使得其最薄部分具有比最厚部分的约90%大的厚度。

7.根据权利要求1所述的设备,其中所述保形抗静摩擦层具有约2.5nm到约10nm的厚度。

8.根据权利要求1所述的设备,其中所述保形抗静摩擦层包含A12O3、HfO2、Ta2O5、SiO2中的一或多者。

9.根据权利要求1所述的设备,其中所述保形抗静摩擦层包含电介质材料和自组装单层SAM。

10.根据权利要求9所述的设备,其中所述SAM是由n-癸基-三氯硅烷形成。

11.根据权利要求1所述的设备,其中所述电介质层具有在约7GPa与9GPa之间的通用硬度。

12.根据权利要求1所述的设备,其中所述可移动电极具有面向所述腔的第一表面及在可移动电极的另一侧上的与所述第一表面相对的第二表面,其中所述保形抗静摩擦层形成于所述可移动电极的所述第二表面上。

13.根据权利要求1所述的设备,其中所述机电系统设备是干涉式调制器。

14.一种显示设备,其包含:

根据权利要求13所述的干涉式调制器;

显示器;

处理器,其经配置以与所述显示器通信,所述处理器经配置以处理图像数据;及

存储器装置,其经配置以与所述处理器通信。

15.根据权利要求14所述的显示设备,其进一步包含:

驱动器电路,其经配置以将至少一个信号发送到所述显示器。

16.根据权利要求15所述的显示设备,其进一步包含:

控制器,其经配置以将所述图像数据的至少一部分发送到所述驱动器电路。

17.根据权利要求14所述的显示设备,其进一步包含:

图像源模块,其经配置以将所述图像数据发送到所述处理器。

18.根据权利要求17所述的显示设备,其中所述图像源模块包含接收器、收发器及发射器中的至少一者。

19.根据权利要求14所述的显示设备,其进一步包含:

输入装置,其经配置以接收输入数据且将所述输入数据传送到所述处理器。

20.一种用于制造机电系统装置的方法,其包括:

形成第一电极;

在所述第一电极上形成牺牲层;

在所述牺牲层上形成第二电极,其中粗糙表面在所述第一和第二电极中的一者与所述牺牲层之间面向所述牺牲层;

移除所述牺牲层,进而形成具有由所述第一电极和所述第二电极界定的相对侧面的腔;及

通过原子层沉积ALD将保形层沉积在所述腔中。

21.根据权利要求20所述的方法,其中提供所述粗糙表面包含形成具有粗糙模板表面的所述牺牲层且在所述粗糙模板表面上形成具有所述粗糙表面的所述第二电极。

22.根据权利要求20所述的方法,其中形成具有粗糙模板表面的所述牺牲层包含在多个条件下沉积所述牺牲层以沉积具有所述粗糙表面的所述牺牲。

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